[发明专利]磁悬浮旋转系统、快速热处理装置在审
| 申请号： | 201911002030.5 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN111341692A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 崔致久;李东根;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/687 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 饶婕;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁悬浮 旋转 系统 快速 热处理 装置 | ||
1.一种磁悬浮旋转系统，其包括：
转子；以及
与所述转子同心间隔设置并环绕所述转子的定子；
其特征在于，所述转子的表面设有类金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的磁悬浮旋转系统，其特征在于，所述类金刚石薄膜的厚度小于1毫米。
3.一种快速热处理装置，其包括：
转子；
与所述转子同心间隔设置并环绕所述转子的定子；以及
转接件，安装于所述转子上；
其特征在于，所述转接件至少与所述转子接触的区域及/或所述转子的表面中至少与所述转接件接触的区域设有类金刚石薄膜。
4.如权利要求3所述的快速热处理装置，其特征在于，所述类金刚石薄膜的厚度小于1毫米。
5.如权利要求3所述的快速热处理装置，其特征在于，所述转接件的整个表面均设有所述类金刚石薄膜。
6.如权利要求3至5任意一项所述的快速热处理装置，其特征在于，所述快速热处理装置还包括可转动地设置于所述转接件上的支撑环。
7.如权利要求6所述的快速热处理装置，其特征在于，所述支撑环的表面至少与所述转接件接触的区域设有所述类金刚石薄膜。
8.如权利要求6所述的快速热处理装置，其特征在于，所述快速热处理装置还包括承载在所述支撑环上的边缘环，所述边缘环的表面设有所述类金刚石薄膜。
9.一种快速热处理装置，其包括：
转子；
与所述转子同心间隔设置并环绕所述转子的定子；
转接件，安装于所述转子上；以及
支撑环，可转动地设置于所述转接件上；
其特征在于，所述转接件的表面中至少与所述转子及所述支撑环接触的区域、及/或所述转子的表面中至少与所述转接件接触的区域及/或所述支撑环的表面中至少与所述转接件接触的区域设有类金刚石薄膜。
10.如权利要求9所述的快速热处理装置，其特征在于，所述类金刚石薄膜的厚度小于1毫米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
