[发明专利]三维存储器的制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和堆叠结构，所述衬底具有堆叠面，所述堆叠结构设于所述堆叠面上；

在所述半导体结构具有表面，所述表面包括依次连接的正表面、侧表面和背表面，所述正表面和所述背表面相对设置，在所述表面的外侧形成第一掩模层，其中，所述第一掩模层的材料包括多晶硅；以及

在位于所述堆叠面一侧的所述第一掩模层上形成第二掩模层，其中，所述第二掩模层的材料包括碳。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述“在所述表面的外侧形成第一掩模层”之前，所述制备方法包括：

在所述半导体结构的所述表面形成第三掩模层，所述第三掩模层相较于所述第一掩模层邻近所述衬底设置。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第三掩模层的材料为氧化物。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第三掩模层包括第一子膜层和第二子膜层，所述“在所述半导体结构的所述表面形成第三掩模层”包括：

在所述半导体结构的所述表面依次形成所述第一子膜层和第二子膜层，其中，所述第二子膜层的材料为氧化物。

5.如权利要求2-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述“在所述表面的外侧形成第一掩模层”包括:

将所述半导体结构放入化学气相沉积装置中，所述第一掩模层通过化学气相沉积法沉积于所述第三掩模层背向所述衬底的表面，其中，所述化学气相沉积装置为炉管。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述“在位于所述堆叠面一侧的所述第一掩模层上形成第二掩模层”之后，所述制备方法包括：

在所述第二掩模层背离所述第一掩模层的表面形成光阻反射层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述“在所述第二掩模层背离所述第一掩模层的表面形成光阻反射层”之后，所述制备方法还包括：

在所述光阻反射层背离所述第二掩模层的表面形成光阻层。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述“在所述光阻反射层背离所述第二掩模层的表面形成光阻层”之后，所述制备方法还包括：

对所述光阻层进行光罩，形成光阻图案；以及

在所述半导体结构上形成沟道孔。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述“在所述半导体结构上形成沟道孔”之后，所述制备方法包括：

移除所述光阻层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述“移除所述光阻层”之后，所述制备方法包括：

依次移除所述第二掩模层和所述第一掩模层。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述“依次移除所述第二掩模层和所述第一掩模层”之后，所述制备方法包括：

移除所述衬底侧面对应的所述第三掩模层的部分。