[发明专利]三维存储器的制备方法

说明书

本申请提供一种三维存储器的制备方法，所述制备方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和堆叠结构，所述衬底具有堆叠面，所述堆叠结构设于所述堆叠面上；在所述半导体结构具有表面，在所述表面的外侧形成第一掩模层，其中，所述第一掩模层的材料包括多晶硅；以及在位于所述堆叠面一侧的所述第一掩模层上形成第二掩模层，其中，所述第二掩模层的材料包括碳。本申请的制备方法，解决了现有技术的三维存储器件的制备方法在制备过程中容易因电弧放电而导致三维存储器件表面受损，影响产品良率的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种三维存储器的制备方法。

背景技术

三维(3Dimension,3D)存储器是一种将存储单元三维地布置在衬底之上的存储设备，其具有集成密度高、存储容量大以及功耗低等优点，从而在电子产品中得到了广泛的应用。但是，现有的三维存储器件的制备方法在制备过程中容易因电弧放电而导致三维存储器件表面受损，影响产品良率。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了一种三维存储器的制备方法，解决了现有技术的三维存储器件的制备方法在制备过程中容易因电弧放电而导致三维存储器件表面受损，影响产品良率的问题。

本申请实施例提供一种三维存储器的制备方法，所述制备方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和堆叠结构，所述衬底具有堆叠面，所述堆叠结构设于所述堆叠面上；

在所述半导体结构具有表面，在所述表面的外侧形成第一掩模层，其中，所述第一掩模层的材料包括多晶硅；以及

在位于所述堆叠面一侧的所述第一掩模层上形成第二掩模层，其中，所述第二掩模层的材料包括碳。

其中，在所述“在所述表面的外侧形成第一掩模层”之前，所述制备方法包括：

在所述半导体结构的所述表面形成第三掩模层，所述第三掩模层相较于所述第一掩模层邻近所述衬底设置。

其中，所述第三掩模层的材料为氧化物。

其中，所述第三掩模层包括第一子膜层和第二子膜层，所述“在所述半导体结构的所述表面形成第三掩模层”包括：

在所述半导体结构的所述表面依次形成所述第一子膜层和第二子膜层，其中，所述第二子膜层的材料为氧化物。

其中，所述“在所述表面的外侧形成第一掩模层”包括:

将所述半导体结构放入化学气相沉积装置中，所述第一掩模层通过化学气相沉积法沉积于所述第三掩模层背向所述衬底的表面，其中，所述化学气相沉积装置为炉管。

其中，在所述“在位于所述堆叠面一侧的所述第一掩模层上形成第二掩模层”之后，所述制备方法包括：

在所述第二掩模层背离所述第一掩模层的表面形成光阻反射层。

其中，在所述“在所述第二掩模层背离所述第一掩模层的表面形成光阻反射层”之后，所述制备方法还包括：

在所述光阻反射层背离所述第二掩模层的表面形成光阻层。

其中，在所述“在所述光阻反射层背离所述第二掩模层的表面形成光阻层”之后，所述制备方法还包括：

对所述光阻层进行光罩，形成光阻图案；以及

在所述半导体结构上形成沟道孔。

其中，在所述“在所述半导体结构上形成沟道孔”之后，所述制备方法包括：

移除所述光阻层。

其中，在所述“移除所述光阻层”之后，所述制备方法包括：

依次移除所述第二掩模层和所述第一掩模层。