[发明专利]一种高结温LED芯片及其制作方法在审

申请号：	201911003226.6	申请日：	2019-10-22
公开（公告）号：	CN110767788A	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	仇美懿;庄家铭;余金隆	申请（专利权）人：	佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号：	H01L33/38	分类号：	H01L33/38;H01L33/40
代理公司：	44202 广州三环专利商标代理有限公司	代理人：	胡枫;李素兰
地址：	528200 广东省佛山市南海区狮***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	半导体层金属活性金属制成反射层阻绝层第二电极第一电极接触层衬底打线结温源层芯片金属电极金属金属迁移控制电极重新设计对电极反射率迁移阻挡制作
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【权利要求书】：

1.一种高结温LED芯片，包括衬底、设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和第一电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的第二电极，其特征在于，第一半导体层和第一电极之间设有第一接触层，第二半导体层和第二电极之间设有第二接触层，第一电极和第二电极均依次包括反射层、阻绝层和打线接触层，所述反射层由第一金属制成，所述阻绝层由第二金属制成，所述打线接触层由第三金属制成，其中，所述第一金属的金属活性小于Cr的金属活性，且第一金属的反射率大于80％，所述阻绝层用于阻挡反射层的金属迁移。

2.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第二金属的金属活性＜第一金属的金属活性。

3.如权利要求2所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第三金属的金属活性＜第二金属的金属活性＜第一金属的金属活性。

4.如权利要求3所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一金属为Rh，所述第二金属为Pt或Pd，所述第三金属为Au。

5.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一金属为Rh，所述第二金属为W或TiW，所述第三金属为Au。

6.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述第一接触层和第二接触层均为透明导电层，所述透明导电层由氧化铟锡或铟锌氧化物制成，所述透明导电层的厚度为300～3000埃。

7.如权利要求1所述的高结温LED芯片，其特征在于，所述反射层的厚度为1000～5000埃，所述阻绝层的厚度为300～3000埃。

8.一种如权利要求1～7任一项所述的高结温LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、在衬底上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；

二、对第二半导体层进行刻蚀，刻蚀至第一半导体层，形成裸露区域；

三、在裸露出来的第一半导体层上形成第一接触层和第一电极，在第二半导体层上形成第二接触层和第二电极；

第一电极和第二电极均依次包括反射层、阻绝层和打线接触层，所述反射层由第一金属制成，所述阻绝层由第二金属制成，所述打线接触层由第三金属制成，其中，所述第一金属的金属活性小于Cr的金属活性，所述第一金属的反射率大于80％。

9.如权利要求8所述的高结温LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第三金属的金属活性＜第二金属的金属活性＜第一金属的金属活性；所述第一金属为Rh，所述第二金属为Pt或Pd，所述第三金属为Au。