[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；

半导体图案，其穿透所述模制结构，连接到所述衬底，并在第一方向上延伸；

第一电荷存储膜，其在所述第一方向上延伸，并位于所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案之间以及所述第一栅电极与所述半导体图案之间；以及

阻挡绝缘膜，其位于所述第一栅电极与所述第一电荷存储膜之间，

其中，所述第一电荷存储膜在所述第一方向上延伸的第一长度比所述阻挡绝缘膜在所述第一方向上延伸的第二长度长。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述阻挡绝缘膜沿着所述第一栅电极的底表面、侧壁和上表面延伸。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述模制结构还包括位于所述第二绝缘图案上的第二栅电极，并且

所述非易失性存储器装置还包括与所述第一电荷存储膜分隔开并位于所述第二栅电极与所述半导体图案之间的第二电荷存储膜。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案内部包括气隙。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一长度随着接近所述半导体图案而增大。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一电荷存储膜的与所述阻挡绝缘膜相邻的侧壁包括凹面。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述模制结构还包括位于所述衬底与所述第一绝缘图案之间的接地选择线。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述模制结构还包括位于所述第二绝缘图案上的串选择线，并且

所述非易失性存储器装置串还包括沿着所述串选择线的上表面和侧壁延伸的上电荷存储膜。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

杂质区域，其位于所述衬底中；以及

分离结构，其穿透所述模制结构并连接到所述杂质区域，

其中，所述模制结构还包括位于所述第二绝缘图案上的串选择线，并且

所述分离结构的与所述串选择线相邻的侧壁包括台阶。

10.一种非易失性存储器装置，包括：

模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一栅电极、绝缘图案和第二栅电极；

半导体图案，其穿透所述模制结构并连接到所述衬底；

第一电荷存储膜，其位于所述第一栅电极与所述半导体图案之间；

第二电荷存储膜，其与所述第一电荷存储膜分隔开，并位于所述第二栅电极与所述半导体图案之间；

第一阻挡绝缘膜，其位于所述第一栅电极与所述绝缘图案之间；以及

第二阻挡绝缘膜，其位于所述第二栅电极与所述绝缘图案之间，

其中，所述第一电荷存储膜和所述第二电荷存储膜彼此分隔开的第一距离比所述第一阻挡绝缘膜和所述第二阻挡绝缘膜彼此分隔开的第二距离短。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一阻挡绝缘膜沿着所述第一栅电极的底表面、侧壁和上表面延伸，并且

所述第二阻挡绝缘膜沿着所述第二栅电极的底表面、侧壁和上表面延伸。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述半导体图案在第一方向上延伸并穿透所述模制结构，并且

所述第一电荷存储膜在所述第一方向上延伸的第一长度比所述第一阻挡绝缘膜在所述第一方向上延伸的第二长度长。