[发明专利]非易失性存储器装置

说明书

提供了一种可靠性得到改善的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极和第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月22日提交的韩国专利申请No.10-2018-0125725的优先权以及由此产生的所有权益，该申请的公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及非易失性存储器装置及其制造方法。更具体地，本发明构思涉及一种包括切割的电荷存储膜的非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置可大致分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是当电源被切断时使存储的数据消失的存储器装置。易失性存储器装置可包括SRAM(静态RAM)、DRAM(动态RAM)、SDRAM(同步DRAM)等。非易失性存储器装置是即使电源被切断也保持存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置可以是闪存装置、ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、电阻存储器装置(例如，PRAM(相变RAM)、FRAM(铁电RAM)和RRAM(电阻RAM))等。

非易失性存储器装置的集成度与日俱增以便满足消费者所需的改善的性能和/或低价格。在二维装置或平面存储器装置的情况下，集成度由单位存储器单元所占据的面积确定。因此，最近，已开发了单位存储器单元竖直地布置的三维存储器装置。

发明内容

本发明构思的各方面提供了一种通过切割电荷存储膜以从阻挡绝缘膜突出来改善可靠性的非易失性存储器装置。

本发明构思的各方面还提供了一种用于制造非易失性存储器装置的方法，其能够制造通过切割电荷存储膜以从阻挡绝缘膜突出来改善可靠性的非易失性存储器装置。

然而，本发明构思的各方面不限于本文所阐述的方面。通过参考下面给出的本发明构思的详细描述，对于本发明构思所属领域的普通技术人员而言，本发明构思的以上和其它方面将变得更显而易见。

根据本发明构思的各方面，提供了一种非易失性存储器装置，包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极与第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。

根据本发明构思的各方面，提供了一种非易失性存储器装置，包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一栅电极、绝缘图案和第二栅电极；半导体图案，其穿透模制结构并连接到衬底；第一电荷存储膜，其位于第一栅电极与半导体图案之间；第二电荷存储膜，其与第一电荷存储膜分隔开，并位于第二栅电极与半导体图案之间；第一阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极与绝缘图案之间；以及第二阻挡绝缘膜，其位于第二栅电极和绝缘图案之间，其中，第一电荷存储膜和第二电荷存储膜彼此分隔开的第一距离比第一阻挡绝缘膜和第二阻挡绝缘膜彼此分隔开的第二距离短。