[发明专利]一种数字隔离芯封装件的生产方法

说明书

本发明公开了一种数字隔离芯封装件的生产方法，属于微电子组装与封装领域，以解决现有方法封装的集成电路引脚、载体和塑封料的界面分层不能达到标准要求和封装良率低的问题。一种数字隔离芯封装件的生产方法，包括如下步骤：A、进行晶圆减薄和划片，形成引线框架；B、将芯片粘贴到引线框架的载体上；C、烘烤；D、烘烤后等离子清洗，E、压焊；F、塑封，再采用封装生产工艺进行打印、测试，接着进行切筋，一次成型,制得宽体小外形封装件。本发明提供的高效率生产方法可生产具有可靠性达到MSL3上的高压隔离功能的数字IC封装件。

技术领域

本发明属于微电子组装与封装领域，具体涉及一种数字隔离芯封装件的生产方法。

背景技术

随着工业4.0推进和智能制造的普及，工业系统中需要更加可靠传感器控制器执行器，而这些系统均需要隔离技术保驾护航。隔离是一种在高压与低压电路间传输数据和电能，同时防止危险直流或不受控的瞬变电流在两者中间流通的方式。数字隔离芯片相比传统光耦可以实现成本更低、尺寸更小、高隔离耐压、宽温度范围、高集成度性能、低的功耗和更加高可靠隔离电路，并且拥有高通信速率长寿命。电动汽车和光伏发电等新兴领域的快速成长带来了更多高性能隔离需求，而传统光耦无法满足的。这给一种适用于高压隔离的小外形IC塑料封装件创造了机会，从封装成本角度考虑，目前国内市场框架排数较低，为4排，材料利用率低，成本较高。从可靠性来看，目前一般只能达到MSL3。

发明内容

本发明的目的是提供一种生产高可靠性高压隔离功能塑料封装件的方法，以解决现有方法封装的集成电路引脚、载体和塑封料的界面分层不能达到标准要求和封装良率低的问题。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种数字隔离芯封装件的生产方法，其特征在于包括如下步骤：

A、进行晶圆减薄和划片，形成引线框架；

B、将芯片粘贴到引线框架的载体上；

C、烘烤：采用七个不同氧含量区快速固化防框架氧化烘烤工艺，防止框架表面发生过氧化反应；该工艺的详细流程是：该七个氧含量区域上下排布，框架经上芯后传递到第一氧含量区，经过第一氧含量区的初步固化，传递到第二氧含量区依次类推，直至出箱，各固化区域的氧含量区采用渐变式差，从第一氧含量区域到第七氧含量区域的氧含量分别为20000ppm、18000ppm、15000ppm、12000ppm、6000ppm、3000ppm、1500ppm；

D、烘烤后等离子清洗，

E、压焊：压焊后进行塑封前等离子清洗，改善银面沾污。

F、塑封，再采用现有SOP封装生产工艺进行打印、测试，接着进行切筋，一次成型,制得宽体小外形封装件。

进一步的，所述压焊步骤采用SOP封装生产工艺进行压焊，芯片间互连采用直角弧形多层焊线，先在高压芯片上的焊点植球，再从低压芯片上的焊点焊丝，然后直角拉起线弧，接着沿高压芯片上的焊点方向水平拉弧，最后垂直向下与高压芯片上焊点的焊球键合；其它连线按现有SOP封装生产工艺进行压焊。

进一步的，所述压焊步骤温度为180℃-185℃。

进一步的，所述塑封步骤采用：注塑压力800～1200Psi、注塑时间10～14s、模具温度170～180℃、合模压力125～135ton、固化时间110～120s；

进一步的，塑封后在175℃的温度下后固化8.5小时。

进一步的，所述引线框架本体矩阵式排列有112个封装单元，所有的封装单元2呈7行16列矩阵式排列于经过MET工艺粗化处理的引线框架本体1上。

进一步的，所述塑封材料采用符合欧盟WEEE、ROHS和索尼标准、击穿电压大于20V/μm、相对漏电起痕指数大于600V的环保材料。