[发明专利]一种导电组合物用银钯合金粉及其制备方法

说明书

本发明公开了一种导电组合物用银钯合金粉及其制备方法，将银粉、钯粉进行物理均匀混料后，通过在低温、高压环境下进行固相合金反应，从而得到一种银钯合金粉体。本发明所述的银钯合金粉体可直接应用于导电组合物中，能够有效改善导电组合物的耐焊性、老化拉力等可靠性指标。本发明与现有技术对比，具有操作简单、对环境污染小、银钯比例准确、方便、粉体粒度可控等优点；制得的银钯合金粉体可直接应用于厚膜电子浆料。

技术领域

本发明属于导电材料领域，具体涉及一种导电组合物用银钯合金粉及其制备方法。

背景技术

银、钯等贵金属及其合金粉体具有许多重要的应用。特别是在电子工业中，制备厚膜集成电路时，银、钯等贵金属及其合金粉体在作为导线连接用的导体浆料中得到广泛应用。厚膜集成电路是指在同一基片上采用丝膜工艺(丝网漏印、烧结和电镀等)制作无源网络并组装上分立的半导体器件、单片集成电路或微型元件而构成的集成电路。通常认为厚度为几微米至几十微米的膜为厚膜，制作厚膜的材料为导体、电阻、介质、绝缘和包封等五种浆料。由于贵金属银具有高导电率、成本低、性能稳定、使用工艺简便等特点，银作为导体浆料的主要组成部分在电子工业中得到广泛应用。但是，纯银导体浆料存在抗氧化性差、抗银离子迁移性能差的问题，而钯能够与银进行无限互溶，形成银钯合金，显著提高浆料抗氧化性和银离子迁移性能。因此，为改善银导体浆料的上述问题，在银导体浆料中加入钯是改进该问题的主要措施。

由于厚膜集成电路在加工过程中，固相反应时间有限，如果在导电浆料中使用银钯混合粉，银钯合金化程度低，与理论效果差异大，因而多采用银钯合金粉。传统的银钯合金粉是通过化学反应生成，主要包括直接还原法和共沉淀-还原法。直接还原法是先制成一定比例的银钯硝酸盐溶液，加还原剂共同还原沉淀形成银钯合金粉。共沉淀-还原法是先让Ag⁺、Pd²⁺与沉淀剂作用生成盐或氢氧化物共沉淀，然后用还原剂在溶液中还原，或将共沉淀分离，在氢气环境下还原生成银钯合金粉。但是化学法制备银钯合金粉工艺复杂、污染大，粒度不好控制、合金化程度不能控制，制备出的粉体被有机物包裹，不能完全适用于可焊接型导电组合物中。

因此，本领域仍需一种粒度可控、合金化程度高的银钯合金粉的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电组合物用银钯合金粉的制备方法。

具体而言，本发明提供一种制备银钯合金粉的方法，包括使银粉和钯粉的混合物在250℃-300℃下进行固相反应。

在一个或多个实施方案中，所述银粉的平均粒径为0.3μm～2μm。

在一个或多个实施方案中，所述钯粉的比表面积在5m²/g～25m²/g的范围内。

在一个或多个实施方案中，所述银粉和钯粉的质量比在60：40～99：1的范围内。

在一个或多个实施方案中，所述固相反应在1MPa～2MPa的压力下进行。

在一个或多个实施方案中，所述固相反应的保温时间为1小时～48小时。

在一个或多个实施方案中，所述固相反应的升温速度为15℃/min～25℃/min。

在一个或多个实施方案中，所述方法还包括对固相反应产物进行破碎。

在一个或多个实施方案中，所述破碎为使用粉体破碎机进行破碎。

本发明还提供一种银钯合金粉，其由质量比为60：40～99：1的银和钯组成。

在一个或多个实施方案中，所述银钯合金粉为采用本发明任一实施方案所述的方法制备得到的银钯合金粉。

本发明还提供由本发明任一实施方案所述的方法制备得到的银钯合金粉。