[发明专利]一种全绒面N型双面电池的制作方法

权利要求书

1.一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述全绒面N型双面电池的制作方法包括以下步骤：

S1、制绒：取一N型单晶硅基片，用NaOH溶液对所取的N型单晶硅基片表面进行清洗，对N型单晶硅基片的表面进行异性腐蚀以获得金字塔绒面，硅片减重为0.45-0.65g；

S2、磷扩散：采用高表面浓度浅结磷扩散工艺对硅基片的一面进行磷扩散，形成N型层；

S3、去PSG：将步骤S2中得到的硼扩散N型单晶硅基片放入到3％-8％的HF溶液清洗；

S4、磷扩散面镀SiNx膜：采用等离子增强化学气相沉积法对所述步骤S3得到的N型单晶硅基片镀SiNx膜；

S5、清洗1：采用3％的HF溶液清洗用以去除磷扩散面镀膜时产生的绕镀；

S6、硼扩散：反应温度为950℃，BBr₃源量为300sccm，方阻为80Ω/Sqr，在炉管中以氮气携带BBr₃蒸汽的方式对硅基片的一面进行硼扩散；

S7、清洗2：采用HF清洗工艺去除硼扩散形成的BSG，并采用浓度为5％的HNO₃对N型单晶硅基片进行氧化钝化；

S8、正面镀Al2O3：对经过氧化钝化后的N型单晶硅基片正面镀Al₂O₃，厚度为1-3nm；

S9、正面镀SiNx薄膜：在正面镀有Al₂O₃的N型单晶硅基片表面镀SiNx薄膜，厚度为70-80nm；

S10、印刷和烧结：采用丝网印刷的方法在N型单晶硅基片的上表面和下表面印刷浆料，形成电池的正极和负极，然后在700-820℃的温度下，在烧结炉中进行烧结，即完成了N型双面电池的制作。

2.根据权利要求1所述的一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中,工艺温度为750-850℃，方阻为60-80Ω/Sq。

3.根据权利要求1所述的一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述磷扩散面镀SiNx膜要求膜折射率为2.1-2.2，厚度为80-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，在进行硼扩散时，背面扩散的磷在高温下继续向内部推进，使得背面的表面浓度降低，结深增加，方阻升高至90Ω/Sq。

5.根据权利要求1所述的一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S9中，所述镀有SiNx薄膜的N型单晶硅基片折射率为2.0-2.1。

6.根据权利要求1所述的一种全绒面N型双面电池的制作方法，其特征在于，所述步骤S10中，N型单晶硅基片正背均面采用LG浆料，峰值温度为760℃。