[发明专利]半导体装置与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一源极/漏极区，位于一基板中；

一栅极结构，位于该基板上；

一栅极间隔物，位于该栅极结构的侧壁上，其中该栅极间隔物与该栅极结构具有实质上类似的高度；

一通孔，位于该源极/漏极区或该栅极结构上，并电性连接至该源极/漏极区或该栅极结构；

一遮罩层，位于该栅极间隔物上，其中该遮罩层的介电常数大于该栅极间隔物的介电常数，且其中该遮罩层的第一侧与该通孔相邻；以及

一介电层，位于该遮罩层的第二侧上，其中该遮罩层位于该介电层与该通孔之间；以及

一蚀刻停止层，至少部分位于该介电层上；

其中该蚀刻停止层及该栅极结构至少被该遮罩层及该介电层分隔。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该通孔包括位于该栅极结构上的一栅极通孔。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于该源极/漏极区上的一源极/漏极接点，其中该通孔包括位于该源极/漏极接点上的一源极/漏极通孔。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该遮罩层与该栅极间隔物具有不同的材料组成。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该遮罩层与该介电层具有不同的材料组成。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层的介电常数低于氧化硅的介电常数。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层包括一接点蚀刻停止层的介电材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该遮罩层的侧表面直接接触该通孔的下侧部分侧壁，且该遮罩层的上表面直接接触该通孔的上侧部分。

9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一层间介电层位于该介电层上，其中该通孔至少垂直延伸穿过该层间介电层。

10.一种半导体装置，包括：

多个源极/漏极区，位于一基板中；

多个源极/漏极接点，分别位于该些源极/漏极区上，其中该源极/漏极接点包括一第一源极/漏极接点及一第二源极/漏极接点；

一源极/漏极通孔，位于该第一源极/漏极接点上；

一金属栅极，位于该基板上；

一栅极通孔，位于该金属栅极上，其中该源极/漏极通孔与该栅极通孔具有实质上类似的高度；

一栅极间隔物，位于该金属栅极的侧壁上；

一蚀刻停止层，包括位于该第二源极/漏极接点上的一第一部分及从该第一部分横向突出的一第二部分；以及

一遮罩层，位于该栅极间隔物上，其中该遮罩层的介电常数大于该栅极间隔物的介电常数，且其中该遮罩层位于该源极/漏极通孔或该栅极通孔旁边。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该栅极间隔物的上表面与该金属栅极的上表面实质上共平面。

12.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一半导体装置，其包括一源极/漏极位于一基板中、一栅极位于该基板上、一介电构件位于该源极/漏极上、以及一栅极间隔物位于该栅极的侧壁上；

回蚀刻该栅极，使该栅极比该栅极间隔物短；

进行一拉回间隔物工艺，以移除位于该栅极上的该栅极间隔物的一部分；

形成一遮罩层于该栅极间隔物上；

形成一介电层于该栅极上，其中该介电层与该遮罩层彼此相邻；

进行第一蚀刻工艺蚀刻该介电构件，以形成接点开口于该源极/漏极上，其中该遮罩层在该第一蚀刻工艺时抗蚀刻；

形成一源极/漏极接点于该接点开口中；

形成一蚀刻停止层于该源极/漏极接点、该遮罩层、与该介电层上；以及

进行一第二蚀刻工艺以形成一通孔开口，其至少垂直延伸穿过该蚀刻停止层，其中该遮罩层在该第二蚀刻工艺时抗蚀刻。