[发明专利]集成器件制造方法及相关产品

权利要求书

1.一种集成器件制造方法，其特征在于，应用于器件制造系统，所述器件制造系统用于制造集成有滤波器和功率放大器的集成器件，所述滤波器包括基于薄膜体声波谐振器FBAR的射频滤波器，所述功率放大器包括基于氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的射频功率放大器；所述方法包括：

提供晶圆，并在所述晶圆上设置第一外延层和第二外延层，得到第一形态集成器件，所述第一外延层、所述第二外延层和所述晶圆形成由上至下的位置关系，所述第一外延层为势垒层，所述第二外延层为氮化镓材料层，所述第一外延层的初始厚度满足所述功率放大器的设计要求；所述第二外延层的初始厚度满足所述滤波器的设计要求；在所述晶圆上设置第一外延层和第二外延层的方式为MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法或MBE（分子束外延）方法；

针对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，得到第二形态集成器件，所述第二形态集成器件包括所述滤波器的滤波器第一外延层与滤波器第二外延层，以及包括所述功率放大器的功率放大器第一外延层与功率放大器第二外延层，所述滤波器第一外延层与第二外延层形成所述滤波器的外延结构，所述功率放大器第一外延层与第二外延层形成所述功率放大器的外延结构，所述滤波器的外延结构与所述功率放大器的外延结构之间设置有隔离凹槽；

针对所述第二形态集成器件执行预设的背面制造工艺，得到所述集成器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，得到第二形态集成器件，包括：

针对所述预设的滤波器的外延结构执行所述预设的滤波器正面制造工艺，得到所述滤波器的正面组件，针对所述预设的功率放大器的外延结构执行所述预设的功率放大器正面制造工艺，得到所述功率放大器的正面组件；

刻蚀所述滤波器的外延结构与所述功率放大器的外延结构，得到隔离凹槽；

设置金属连线以连接所述滤波器的正面组件与功率放大器的正面组件。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述针对所述预设的滤波器的外延结构执行所述预设的滤波器正面制造工艺，得到所述滤波器的正面组件，包括：

刻蚀第一外延层，在第二外延层上端面设置上电极；

刻蚀所述第二外延层，得到通孔；

在所述滤波器的上电极和所述第二外延层设置金属连线，包括连接上电极的第一金属连线和通过所述通孔设置的第二金属连线；

通过晶圆极封装WLP方法或感光干膜法在所述上电极上方设置盖帽以形成上空腔，所述盖帽的上方设置防护层；

在所述第一金属连线上设置第一金属引脚；

在所述第二金属连线上设置第二金属引脚；

所述第一金属引脚与所述第二金属引脚穿过所述盖帽或防护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过晶圆极封装WLP方法或感光干膜法在所述上电极上方设置盖帽以形成上空腔之前，所述方法还包括：

在所述滤波器上电极上方设置用于调节谐振器频率的质量载荷的第一结构；和/或，

在所述滤波器第一外延层或所述上电极上方设置用于抑制杂散波的第二结构；和/或，

在所述滤波器第一外延层或所述上电极上方设置用于滤波器温度补偿的薄膜层。

5.根据权利要求3-4任一项所述的方法，其特征在于，所述通过感光干膜法在所述上电极上方设置盖帽以形成上空腔，所述方法包括：

按照预设标准对以下工艺参数进行优化，所述工艺参数包括以下任意一种或多种：预热温度、预热时间、压合温度、压辘温度、贴膜压力、贴膜速度、与压合时间；

根据优化后的工艺参数，在滤波器的上端面平铺一层感光干膜；

按照预设静置时间，静置所述感光干膜，得到冷却至室温的感光干膜；

根据不同种类干膜材料对曝光工艺参数进行优化，按照优化后的曝光工艺参数对所述冷却至室温的感光干膜进行对准与曝光，得到曝光后的感光干膜；

将曝光后的感光干膜静置预设的时间后，对所述曝光后的感光干膜进行干膜显影与清洗，以除去未经曝光的干膜，得到最终的干膜，形成盖帽，所述盖帽与所述滤波器的上端面形成所述滤波器的上空腔。