[发明专利]集成器件制造方法及相关产品

说明书

本申请实施例公开了一种集成器件制造方法及相关产品，方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆上设置第一外延层和第二外延层，得到第一形态集成器件；对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，形成滤波器和功率放大器正面组件，得到第二形态集成器件；对所述第二形态集成器件包含的滤波器、功率放大器和初始晶圆执行晶圆键合，并且执行预设的背面制造工艺，得到所述集成器件。采用本方法，通过将滤波器和功率发大器集成在同一个芯片上，可以减小器件的尺寸，提高器件的性能，简化生产工艺，降低生产成本。

技术领域

本申请涉及芯片制造领域，具体涉及射频滤波器和功率放大器芯片，尤其是一种集成器件制造方法及相关产品。

背景技术

随着信息技术的不断发展，为更好地满足下一代通信技术要求，对无线通讯射频前端的设计要求也越来越高。在射频前端，功率发大器和滤波器是核心部件。在移动通信中，体声波滤波器(FBAR或BAW)将被广泛应用，而功率放大器将采用高性能的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。目前，基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的射频滤波器和基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的射频功率放大器是分别制作完成的。封装后集成到电路板上提供给终端用户。或者，将分别制作完成的滤波器和功率放大器在封装的时候集成为一个模组。

发明内容

本申请实施例提供了一种集成器件制造方法及相关产品，通过将滤波器和功率发大器集成在同一个芯片上，可以减小器件尺寸、降低制作成本、提高器件性能。

第一方面，本申请实施例提供了一种集成器件制造方法，应用于器件制造系统，所述器件制造系统用于制造集成有滤波器和功率放大器的集成器件，所述滤波器包括基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的射频滤波器，所述功率放大器包括基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的射频功率放大器。包括：

提供晶圆，并在所述晶圆上设置第一外延层和第二外延层，得到第一形态集成器件，所述第一外延层、所述第二外延层和所述晶圆形成由上至下的位置关系，所述第一外延层为势垒层，所述第二外延层为氮化镓材料层，所述第一外延层的初始厚度满足所述功率放大器的设计要求；所述第二外延层的初始厚度满足所述滤波器的设计要求；

针对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，得到第二形态集成器件，所述第二形态集成器件包括所述滤波器的滤波器第一外延层与滤波器第二外延层，以及包括所述功率放大器的功率放大器第一外延层与功率放大器第二外延层，所述滤波器第一外延层与第二外延层形成所述滤波器的外延结构，所述功率放大器第一外延层与第二外延层形成所述功率放大器的外延结构，所述滤波器的外延结构与所述功率放大器的外延结构之间设置有隔离凹槽；

针对所述第二形态集成器件执行预设的背面制造工艺，得到所述集成器件。

第二方面，本申请实施例提供了一种集成器件，所述集成器件包括滤波器与功率放大器，所述滤波器包括基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的射频滤波器，所述功率放大器包括基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的射频功率放大器；

所述滤波器和所述功率放大器共用同一块晶圆作为衬底，所述滤波器的外延结构包括滤波器第一外延层与第二外延层，所述功率放大器的外延结构包括功率放大器第一外延层与第二外延层，所述滤波器外延结构和所述功率放大器外延结构设置于所述晶圆的同一端面且通过隔离凹槽隔离，所述滤波器的第一外延层与所述功率放大器的第一外延层为势垒层，所述第二外延层为氮化镓材料层，所述滤波器第一外延层、所述滤波器第二外延层和所述晶圆形成由上至下的位置关系，所述滤波器与所述功率放大器的第一外延层的初始厚度满足所述功率放大器的设计要求；所述滤波器与所述功率放大器的第二外延层的初始厚度满足所述滤波器的设计要求。

可选的，在所述第二外延层为氮化镓材料层的情况下，所述第一外延层为以下任意一种或多种：

氮化铝AlN材料层，氮化镓铝AlGaN材料层，铝铟镓氮AlInGaN材料层，氮化铟InN材料层等；