[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括主体部分、设置在所述主体部分的第一表面上的第一结合层和穿过所述主体部分的至少一部分的贯穿通路；以及第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片中以通过所述第一结合层连接到所述第一半导体芯片，所述第一再分布部分包括电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层、设置在所述第一再分布层之间的第一布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0127571的优先权，该韩国专利申请的公开内容以引用的方式全部合并于本申请中。

技术领域

与本公开一致的装置和器件涉及半导体封装件。

背景技术

随着电子工业的不断发展，对电子组件的高性能、高速度和小型化的需求日益增长。根据这种趋势，在功能方面，已经研究了用于需要复杂性和多功能性的系统的系统级封装(SIP)。此外，在结构方面，已经开发了多个半导体芯片堆叠并安装在一个封装衬底上的封装件或者封装件堆叠在封装件上方的堆叠封装(PoP)结构。具体而言，在这种半导体封装件中，已经进行了各种尝试来减小其厚度。

发明内容

一个方面是提供一种具有显著减小的厚度并且提供增加的可靠性的半导体封装件。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种半导体封装件，其包括：第一半导体芯片，包括主体部分、设置在所述主体部分的第一表面上的第一结合层以及穿过所述主体部分的至少一部分的贯穿通路；以及第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片的下部以通过所述第一结合层连接到所述第一半导体芯片，所述第一再分布部分包括电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层、设置在所述第一再分布层之间的至少一个第一布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层，其中，所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。

根据示例实施例的一个方面，提供了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的表面上的第一结合层；以及再分布部分，设置在所述半导体芯片的所述表面上并且通过所述第一结合层连接到所述半导体芯片，所述再分布部分包括电连接到所述半导体芯片的再分布层、设置在所述再分布层之间的至少一个布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层，其中，所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合，整个所述再分布层设置为在平面上与所述半导体芯片交叠。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种半导体封装件，其包括：第一半导体芯片，包括设置在所述第一半导体芯片的表面上的第一金属焊盘和穿过所述第一半导体芯片的至少一部分的贯穿通路；第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片的下部，并且包括结合到所述第一金属焊盘的第二金属焊盘和电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层；第二再分布部分，设置在所述第一半导体芯片的上部，并且包括电连接到所述第一半导体芯片的第二再分布层和设置在所述第二再分布部分的上表面上的第三金属焊盘；以及至少一个第二半导体芯片，设置在所述第二再分布部分上，并且包括设置在所述至少一个第二半导体芯片的表面上的第四金属焊盘，所述第四金属焊盘结合到所述第三金属焊盘。