[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底；

导电区域，所述导电区域位于所述衬底上；

下电极结构，所述下电极结构位于所述导电区域上，所述下电极结构包括主电极部分和桥电极部分，所述主电极部分包括外侧壁和下表面；

介电层，所述介电层与所述主电极部分的所述外侧壁接触，并且与所述桥电极部分接触；和

上电极，所述上电极位于所述下电极结构的上方，

其中，所述主电极部分与所述导电区域间隔开，并且包括第一金属，

所述桥电极部分与所述主电极部分的所述下表面接触，并且包括不同于所述第一金属的第二金属，并且

所述介电层位于所述上电极与所述下电极结构之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述主电极部分的截面包括具有限定内部空间的内侧壁的杯形，

所述下电极结构还包括覆盖电极部分，所述覆盖电极部分包括与所述主电极部分的所述内侧壁接触的第一部分和在远离所述衬底延伸的方向上从所述第一部分突出的第二部分，所述第二部分覆盖所述主电极部分的最上表面，并且

所述覆盖电极部分包括不同于所述第一金属的第三金属。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，

所述第二金属包括所述第三金属，

所述第三金属包括所述第二金属，或

所述第二金属与所述第三金属相同。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述介电层与所述主电极部分的所述内部空间外部的所述覆盖电极部分接触。

5.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述介电层与所述主电极部分的所述内部空间中的所述覆盖电极部分接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

至少一个支撑层，所述至少一个支撑层被构造为支撑所述下电极结构，

其中，所述下电极结构还包括至少一个突起电极部分，所述至少一个突起电极部分从所述主电极部分朝向所述至少一个支撑层延伸，并且

所述至少一个突起电极部分和所述桥电极部分包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述主电极部分的截面包括具有限定内部空间的内侧壁的杯形，并且

所述介电层与所述主电极部分的所述内部空间中的所述主电极部分的所述内侧壁接触。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述主电极部分的截面包括具有限定内部空间的内侧壁的杯形，

所述下电极结构还包括完全填充所述主电极部分的所述内部空间的覆盖电极部分，并且

所述覆盖电极部分包括电阻率低于所述主电极部分的所述第一金属的电阻率的材料。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述主电极部分的截面包括具有限定内部空间的内侧壁的杯形，并且

所述下电极结构包括覆盖电极部分，所述覆盖电极部分包括：

第一部分，所述第一部分与所述主电极部分的所述内侧壁接触，

第二部分，所述第二部分覆盖所述主电极部分的最上表面，和

至少一个突起电极部分，所述至少一个突起电极部分从所述主电极部分的所述外侧壁径向向外延伸。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述桥电极部分、所述覆盖电极部分和所述至少一个突起电极部分包括相同的材料。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述主电极部分包括铌，并且

所述介电层包括具有四方相的HfO₂层。