[发明专利]集成电路器件及其制造方法

说明书

提供了集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：导电区域，所述导电区域位于衬底上；和下电极结构，所述下电极结构包括与所述导电区域间隔开的主电极部分以及位于所述主电极部分与所述导电区域之间的桥电极部分。介电层与所述主电极部分的外侧壁接触。为了制造所述集成电路器件，在所述衬底上的模制图案的孔中形成初步桥电极层，以及在所述孔中的所述初步桥电极层上形成所述主电极部分。去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁，以及去除所述初步桥电极层的一部分以形成所述桥电极部分。形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的所述介电层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0020057的优先权，通过引用将该申请的全部公开内容并入本文。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及集成电路器件及其制造方法，更具体地，涉及包括电容器的集成电路器件及其制造方法。

背景技术

随着集成电路器件的尺寸缩小，电容器占据的空间迅速减小。因此，即使克服了电容器中的空间和设计规则的限制，和/或即使减小了电容器的介电层的厚度(例如，物理厚度)，但是仍在追求开发一种减小漏电流并保持所需电特性的电容器结构。

发明内容

根据发明构思的一些示例实施例，集成电路器件可以包括：衬底；导电区域，所述导电区域位于所述衬底上；下电极结构，所述下电极结构位于所述导电区域上，所述下电极结构包括主电极部分和桥电极部分，所述主电极部分包括外侧壁和下表面；介电层，所述介电层与所述主电极部分的所述外侧壁接触，并且与所述桥电极部分接触；和上电极，所述上电极位于所述下电极结构的上方。所述主电极部分与所述导电区域间隔开，并且包括第一金属。所述桥电极部分与所述主电极部分的所述下表面接触，并且包括不同于所述第一金属的第二金属。所述介电层位于所述上电极与所述下电极结构之间。

根据发明构思的一些示例实施例，集成电路器件可以包括：衬底，所述衬底包括导电区域；下电极结构，所述下电极结构位于所述衬底上；上电极，所述上电极与所述下电极结构相对，并且位于所述衬底上；和介电层，所述介电层位于所述下电极结构与所述上电极之间。所述下电极结构包括主电极部分，所述主电极部分具有与所述介电层接触的外侧壁、限定内部空间的内侧壁以及相对于所述衬底的表面位于所述导电区域上方的下表面，所述主电极部分包括第一金属；以及桥电极部分，所述桥电极部分与所述主电极部分的所述下表面接触，并且包括不同于所述第一金属的第二金属。

根据发明构思的一些示例实施例，集成电路器件可以包括：衬底，所述衬底包括导电区域；下电极结构，所述下电极结构位于所述衬底上；和介电层，所述介电层覆盖所述下电极结构。所述下电极结构包括：覆盖电极部分，所述覆盖电极部分在远离所述导电区域延伸的方向上延伸；主电极部分，所述主电极部分具有与所述覆盖电极部分接触的内侧壁以及与所述介电层接触的外侧壁，所述主电极部分包括与所述覆盖电极部分的材料不同的材料；桥电极部分，所述桥电极部分与所述覆盖电极部分垂直间隔开，所述桥电极部分位于所述主电极部分与所述导电区域之间。所述主电极部分位于所述覆盖电极部分与所述桥电极部分之间。

根据发明构思的一些示例实施例，制造集成电路器件的方法可以包括：在衬底上形成限定孔的模制图案；在所述孔的内侧壁上形成初步桥电极层；在所述孔中形成主电极部分，所述主电极部分具有覆盖所述初步桥电极层的外侧壁和限定内部空间的内侧壁；去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁；去除所述初步桥电极层的一部分，以暴露所述主电极部分的所述外侧壁并形成由所述初步桥电极层的第一部分形成的桥电极部分，所述桥电极部分位于所述衬底与所述主电极部分之间；和形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的介电层。

附图说明

图1是示出根据发明构思的一些示例实施例的集成电路器件的存储单元阵列的一部分的示意性俯视图。