[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置

权利要求书

1.一种SRAM的形成方法，其特征在于，所述SRAM包括PG晶体管、PD晶体管和PU晶体管，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，所述NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，所述PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；

形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，所述第一鳍状件形成在所述PD晶体管，所述第二鳍状件形成在所述PG晶体管，所述第三鳍状件形成在所述PU晶体管。

2.根据权利要求1所述的SRAM的形成方法，其特征在于，形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构的所述步骤包括：

在所述NMOS器件区和所述PMOS器件区上沉积混合抗蚀剂层；

图形化抗蚀剂以在所述混合抗蚀剂层中形成间隙；

执行蚀刻以在所述PD晶体管、所述PG晶体管和所述PU晶体管中形成所述鳍结构。

3.根据权利要求1所述的SRAM的形成方法，其特征在于，所述第一鳍状件、所述第二鳍状件和所述第三鳍状件的高度为30至100nm。

4.一种SRAM，其特征在于，包括：

衬底，其中，所述衬底上形成有NMOS器件区和PMOS器件区，其中，所述NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，所述PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；

包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构,其中，所述第一鳍状件形成在所述PD晶体管，所述第二鳍状件形成在所述PG晶体管，所述第三鳍状件形成在所述PU晶体管。

5.根据权利要求4所述的SRAM，其特征在于，所述衬底的材料为Si。

6.根据权利要求4所述的SRAM，其特征在于，所述第一鳍状件、所述第二鳍状件和所述第三鳍状件的高度为30至100nm。

7.根据权利要求4所述的SRAM，其特征在于，所述SRAM具有6T结构。

8.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求4至7中任一项所述的SRAM。