[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置

说明书

本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，第一鳍状件形成在PD晶体管，第二鳍状件形成在PG晶体管，第三鳍状件形成在PU晶体管。相较于传统的由Si组成的位于NMOS器件的鳍结构，由SiP构成有源区的PG晶体管可以将SRAM的性能提升约20％～30％，同时由于PD晶体管采用Si构成有源区，因此还可以同时保持良好的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SRAM及其形成方法和电子装置。

背景技术

静态随机存取存储器(SRAM)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中，其因为具有功耗小、读取速读快等优点而广泛应用于数据的存储。

在半导体集成电路器件领域中，场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管一直是用来制造专用集成电路芯片、静态随机存储器(SRAM)芯片等产品的主要半导体器件。

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速的成长。在IC演变的进程中，功能密度(即，每个芯片面积上互相连接的器件的数量)已经普遍增加，同时几何尺寸(即，可以使用制造处理做出的最小的组件或线)已经减小。此按比例缩小处理一般通过增加生产效率和降低相关联的成本来提供效益。这样的按比例缩小还已经增加了处理和制造IC的复杂性，而为了实现这样的先进性，需要半导体制造中的类似发展。

例如，随着半导体工业已经进展到追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的纳米技术处理节点，来自制造和设计二者的挑战已经导致了鳍型场效应晶体管(FinFET)器件的发展。例如，FinFET器件可以是互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括P型金属氧化物半导体(PMOS)FinFET器件和N型金属氧化物半导体(NMOS)FinFET器件。CMOS技术宽泛地用于多种电路设计。因此，希望具有对CMOS FinFET半导体结构的制造的改进。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种SRAM及其形成方法和电子装置。

本发明所采用的技术方案是：构造一种SRAM的形成方法，所述SRAM包括PG晶体管、PD晶体管和PU晶体管，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，所述NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，所述PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；

形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，所述第一鳍状件形成在所述PD晶体管，所述第二鳍状件形成在所述PG晶体管，所述第三鳍状件形成在所述PU晶体管。

在本发明提供的SRAM的形成方法中，形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构的所述步骤包括：

在所述NMOS器件区和所述PMOS器件区上沉积混合抗蚀剂层；

图形化抗蚀剂以在所述混合抗蚀剂层中形成间隙；

执行蚀刻以在所述PD晶体管、所述PG晶体管和所述PU晶体管中形成所述鳍结构。

在本发明提供的SRAM的形成方法中，所述第一鳍状件、所述第二鳍状件和所述第三鳍状件的高度为30至100nm。

根据本发明的另一方面，还提供一种SRAM，包括：