[发明专利]一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路有效
申请号: | 201911012173.4 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN110739963B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 吕红亮;赵冉冉;乔世兴;武岳;张玉明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03K23/00 | 分类号: | H03K23/00 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gaas phemt 双模 分频 电路 | ||
本发明公开了一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,包括:分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。本发明提供的GaAs pHEMT 2/3双模分频电路通过使用GaAs pHEMT工艺,同时采用源极耦合结构(SCL),使得电路能够满足更高的频率需求,同时可以使电路实现更高的工作速度、更低的功耗和更低的噪声。
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路。
背景技术
分频器作为高频电路设计中的重要模块之一,广泛应用于宽带通信系统中。通常使用触发器电路或者锁存器电路实现分频器。分频器作为锁相环的重要组成部分,其性能很大程度决定了整个锁相环的应用范围,为了满足其高频通信的要求,必须对其进行优化设计。目前,高速分频器一般采用差分信号进行传输,工作速度高。另外在预分频器是由二的幂次方来分频,常用的有单模、双模和四模预分频器。但由于采用单模预分频器时,如果要获得原先同样的频率分辨力,就需要牺牲转换时间来换取分辨力,所以业界一般都采用双模或更多模预分频器,其中最常用的为双模预分频器。而双模预分频器中常用的是2/3双模分频器、4/5双模分频器和8/9双模分频器。但是由于4/5双模分频器和8/9双模分频器工作在高频的管子数目更多,功耗更大,因此为了满足低功耗的要求,一般采用2/3双模分频器来实现N/N+1双模分频。D触发器是构成2/3双模分频器的核心电路,其电路结构和性能对整个分频器的性能具有很大的影响。
请参见图1,图1是现有的一种D触发器结构,它是窄带的基于超谐波注入锁定结构的D触发器,该电路是通过注入一个振荡电路一个比较强的二倍频信号,从而牵引振荡器并使之锁定到注入信号的1/2频率,从而实现D触发器。
然而这类电路工作频率范围比较窄,比较低,不能满足超高频电路的要求。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种GaAspHEMT 2/3双模分频电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,包括:
分频器核心电路,连接所述逻辑门电路,用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;
逻辑门电路,连接所述分频器核心电路,用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;
其中,所述分频器核心电路和所述逻辑门电路均包含电平转换电路。
在本发明的一个实施例中,所述分频器核心电路包括第一D触发器和第二D触发器,所述逻辑门电路包括第一逻辑门电路和第二逻辑门电路;
所述第一D触发器的输入端连接所述第一逻辑门电路的输出端,所述第一D触发器的输出端连接所述第一逻辑门电路第一输入端和所述第二逻辑门电路的第二输入端;
所述第二D触发器的输入端连接所述第二逻辑门电路的输出端,所述第二D触发器的输出端连接所述第一逻辑门电路第二输入端;
所述第二逻辑门电路的第一输入端连接外部直流偏置电压的输入端。
在本发明的一个实施例中,所述第一D触发器包括级联的第一锁存器和第二锁存器,所述第二D触发器包括级联的第三锁存器和第四锁存器;其中,
所述第一锁存器的输入端连接所述第一逻辑门电路的输出端,所述第一锁存器的输出端连接所述第二锁存器的输入端;
所述第二锁存器的输出端连接所述第一逻辑门电路第一输入端和所述第二逻辑门电路的第一输入端;
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