[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201911012188.0 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111092044A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 裵敏镐;权赫巨世;尹泰镐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.静电吸盘,包括:
基底;
垫层,位于所述基底上;
电极层,位于所述垫层上;以及
介电层,位于所述电极层上,
其中,所述基底、所述垫层、所述电极层和所述介电层具有通孔,所述通孔各自具有矩形形状,并且所述通孔中的每个具有中央轴线,以及
其中,所述介电层的每个拐角区域具有一对所述通孔,并且所述一对所述通孔的所述中央轴线分别与所述介电层的位于相应的所述拐角区域处的两个邻边交叉。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,每个中央轴线平行于相应的所述通孔的两个长边。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其中,所述通孔中的每个的短边与位于相应的所述拐角区域处的所述两个邻边中的一个平行。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述通孔中的每个具有在3mm至4mm的范围内的宽度。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述静电吸盘配置成将对象吸附在所述介电层上,使得所述对象的每个拐角处的两个邻边分别与所述通孔中的两个重叠。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述垫层具有在0.2mm至0.3mm的范围内的厚度。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘,其中,所述垫层包括聚乙烯。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述电极层包括:
第一电极,配置成接收第一电压;以及
第二电极,配置成接收不同于所述第一电压的第二电压。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述电极层包括选自铜、铝、金、银、铂、钛、钨、钼、碳纳米管、导电聚合物和透明导电氧化物中的一种。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中,所述介电层包括聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造