[发明专利]静电吸盘在审
申请号: | 201911012188.0 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111092044A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 裵敏镐;权赫巨世;尹泰镐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
公开了静电吸盘。静电吸盘包括基底、位于基底上的垫层、位于垫层上的电极层以及位于电极层上的介电层,基底、垫层、电极层和介电层具有通孔。通孔各自具有矩形形状,并且介电层的每个拐角区域具有一对通孔,且一对通孔的中央轴线分别与介电层的位于相应的拐角区域处的两个邻边交叉。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月23日提交的第10-2018-0126962号韩国专利申请的优先权及权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式涉及静电吸盘以及包括静电吸盘的静电吸附装置。例如,本公开的实施方式涉及在半导体设备或显示设备的制造过程中使用的静电吸盘及包括该静电吸盘的静电吸附装置。
背景技术
通常,静电吸盘可用于在半导体设备或显示设备的制造过程中转移或保持诸如半导体晶片或玻璃衬底的对象。
静电吸盘构成为使得通过静电吸盘的电极和待吸附的对象(例如,由静电吸盘保持的对象)中充有的电势形成吸引力。该力可以是静电力等。
由于对象通过静电力被吸附并保持在静电吸盘的吸附部分的表面上,因此可以考虑吸附部分的表面的均匀性和静电力的均匀分布。
近年来,随着各种尺寸的半导体晶片和显示设备被制造,开发可用于各种尺寸的对象的静电吸盘是有用的。
发明内容
一个或多个示例性实施方式提供能够防止或减少气泡的出现的静电吸盘,以及包括该静电吸盘的静电吸附装置。
一个或多个示例性实施方式还提供可用于多种合适尺寸的对象的静电吸盘,以及包括静电吸盘的静电吸附装置。
根据一些示例性实施方式,静电吸盘可包括基底、位于基底上的垫层、位于垫层上的电极层以及位于电极层上的介电层。基底、垫层、电极层和介电层可具有通孔,通孔中的每个可具有矩形形状,通孔中的每个具有中央轴线,并且介电层的每个拐角区域具有一对通孔,且一对通孔的中央轴线分别与介电层的位于相应的拐角区域处的两个邻边交叉。
每个中央轴线可平行于相应的通孔的两个长边。
通孔中的每个的短边可与位于相应的拐角区域处的两个邻边中的一个平行。
通孔可具有在3mm至4mm的范围内的宽度。
静电吸盘可配置成将对象吸附在介电层上,使得对象的每个拐角处的两个邻边可分别与通孔中的两个重叠。
垫层可具有在0.2mm至0.3mm的范围内的厚度。
垫层可包括聚乙烯。
电极层可包括配置成接收第一电压的第一电极和配置成接收不同于第一电压的第二电压的第二电极。电极层可包括选自铜、铝、金、银、铂、钛、钨、钼、碳纳米管、导电聚合物和透明导电氧化物中的一种。
介电层可包括聚酰亚胺。
静电吸盘还可包括位于通孔中的每个中的透镜层。
静电吸盘还可包括位于垫层和电极层之间的绝缘层。
静电吸盘还可包括位于垫层与绝缘层之间的第一粘合层以及位于电极层与介电层之间的第二粘合层。
根据一些示例性实施方式,静电吸附装置可包括具有通孔的静电吸盘、位于静电吸盘的一侧上的与通孔对应的发光单元以及位于静电吸盘的另一侧上的与通孔对应的光接收单元。静电吸盘可包括基底、位于基底上的垫层、位于垫层上的电极层以及位于电极层上的介电层。基底、垫层、电极层和介电层可具有通孔,通孔可各自具有矩形形状,并且通孔中的每个可具有中央轴线。介电层的每个拐角区域可具有一对通孔,并且一对通孔的中央轴线可分别与介电层的位于相应的拐角区域处的两个邻边交叉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造