[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201911012334.X | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111092031A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 川渕洋介;池田恭子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
基板保持部,其保持基板;
干燥液供给部,其对被所述基板保持部保持的所述基板的表面供给干燥液;
温度调整部,其使所述基板的表面温度变化;以及
控制部,其控制所述温度调整部,
其中,所述控制部控制所述温度调整部,以使被供给至所述基板的表面的所述干燥液的液膜产生温度差。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板的表面包括作为进行干燥处理的对象的干燥对象区域和未进行干燥处理的未处理区域,
所述控制部控制所述温度调整部,以使所述干燥对象区域与所述未处理区域之间产生温度差。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部,
所述基板加热部通过沿着所述基板的表面移动线状的热源来变更所述基板的表面中的加热位置。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部,
所述基板冷却部对所述基板的整面进行冷却。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部,
所述基板冷却部对所述基板的整面进行冷却。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板冷却部使线状的冷却源以沿基板的表面与基板加热部并行的方式对基板进行冷却。
7.根据权利要求2至6中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部通过控制所述温度调整部来在所述基板的表面形成温度梯度,以使所述液膜从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述基板的表面形成有规定形状的图案,
所述控制部通过控制所述温度调整部来在所述基板的表面形成温度梯度,以使所述液膜沿所述图案的形状从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括对基板的表面的一部分进行加热的基板加热部,所述控制部使所述加热部的加热量伴随在所述基板的表面形成温度梯度的时间的经过而增大。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括低温构件,该低温构件的温度被设定为比所述基板温度的低,
所述控制部控制所述温度调整部,以在所述低温构件与所述液膜接触的状态下使所述低温构件在所述基板的上方沿所述基板的表面移动。
11.根据权利要求1至6、8至10中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持部能够使所述基板倾斜。
12.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括对所述基板的整面进行冷却的基板冷却部和对包含所述基板的中心的区域进行加热的基板加热部。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述温度调整部包括基板加热部,所述基板加热部能够形成以下的温度梯度:包含所述基板的中心的区域的加热温度最高,随着去向外周而加热温度变低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造