[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。本发明能够降低显示面板的功耗。

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

目前，平板显示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驱动频率方向发展，对迁移率的要求越来越高，目前使用的多晶硅TFT不能进行大尺寸平板显示，因而基于LTPS(LowTemperature Poly-silicon，低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面板技术成为主流。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。

然而，低温多晶硅TFT虽然迁移率高，但是TFT的关态电流大，用其驱动显示面板时，存在功耗较高的问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，能够降低显示面板的功耗。

第一方面，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，其中，金属氧化物半导体图形位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。

第二方面，本发明提供一种阵列基板，采用上述的阵列基板的制造方法制造而成。

第三方面，本发明提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，由于金属氧化物TFT形成在与显示区域对应的区域内，用于驱动像素电极，而金属氧化物TFT迁移率高，有非常好的关态电流，用其驱动像素电极可以降低显示面板的功耗，与低温多晶硅TFT配合使用，既可以满足显示面板高迁移率的要求也可以减小功耗，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有机发光二极管显示器件的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图2为本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第一状态时的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态时的结构示意图；