[发明专利]用于替换和修补显示装置的元件的方法在审
申请号: | 201911013669.3 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112216619A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 替换 修补 显示装置 元件 方法 | ||
本发明公开了一种替换显示装置的元件的方法,包含:在第一微型元件与基板的导电垫之间形成具有第一液层的结构,其中第一微型元件被第一液层产生的毛细力抓住;蒸发第一液层,使第一微型元件贴附至基板;确认第一微型元件是否故障或错位;当第一微型元件故障或错位时,移除第一微型元件;在第二微型元件与基板的导电垫之间形成具有第二液层的另一结构,其中第二微型元件被第二液层产生的毛细力抓住;以及蒸发第二液层,使第二微型元件贴附至基板。本发明的元件的方法实现了更换或修补显示装置元件的便利及低或零损坏的方式。
技术领域
本发明设计一种用于替换和修补显示装置的元件的方法。
背景技术
用于转移元件的传统技术包含通过晶圆接合(wafer bonding)从转移晶圆转移到接收基板。一种这样的实施方式是「直接接合」,其涉及从转移晶圆到接收基板的元件数组的接合步骤,然后移除转移晶圆。另一种这样的实施方式是「间接接合」,其涉及两个接合/剥离步骤。在间接接合中,转移头可从供体基板拾取元件阵列,然后将元件阵列接合到接收基板,再移除转移头。
近年来,许多研究人员及专家试图克服能够商业应用的大规模元件转移(即,转移数百万或数千万个元件)方面的困难。在这些困难中,如何降低成本、提高时间效率及良率是三个重要的议题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种用于替换和修补显示装置的元件的方法,以在显示装置的元件的替换和修补过程中保证良率,并降低替换和修补的成本,提高效率。
根据本发明的一些实施例,提供一种用于替换显示装置的元件的方法。所述方法包含:在第一微型元件的第一电极与基板的导电垫之间形成具有第一液层的结构,第一液层的两相对表面分别与第一电极及导电垫接触,其中第一微型元件被第一微型元件与导电垫之间的第一液层产生的毛细力抓住;蒸发第一液层,使第一电极贴附至导电垫并且与导电垫电性接触;确认第一微型元件是否故障或相对于导电垫错位;当第一微型元件故障或自导电垫错位时,移除第一微型元件;在第二微型元件的第二电极与基板的导电垫之间形成具有第二液层的另一结构,第二液层的两相对表面分别与第二电极及导电垫接触,其中第二微型元件被第二微型元件与导电垫之间的第二液层产生的毛细力抓住;以及蒸发第二液层,使第二电极贴附至导电垫并且与导电垫电性接触。
根据本发明的一实施例,第二液层通过喷洒蒸气形成。
根据本发明的一实施例,在形成另一结构之前,清洁导电垫。
根据本发明的一实施例,第一液层与第二液层中的一个包含水。
根据本发明的一实施例,蒸发第一液层与蒸发第二液层包含:在蒸发第一液层之后,升高导电垫的温度,使第一电极黏附固定至导电垫;以及在蒸发第二液层之后,升高导电垫的温度,使第二电极黏附固定至导电垫。
根据本发明的一实施例,在蒸发第二液层之后,将导电垫的温度升高到低于导电垫与第一电极之间或导电垫与第二电极之间的共晶点并高于第二液层的沸点。
根据本发明的一实施例,在蒸发第二液层之后,将导电垫的温度升高到高于导电垫与第一电极及第二电极中的一个的共晶点。
根据本发明的一实施例,将导电垫的温度升高到一温度点,使间隙扩散发生,以将第二电极黏合至导电垫。
根据本发明的一实施例,当第一微型元件被毛细力抓住时,第一液层的厚度小于第一微型元件的厚度,并且当第二微型元件被毛细力抓住时,第二液层的厚度小于第二微型元件的厚度。
根据本发明的一实施例,导电垫及第一电极加上第二电极中的一个包含黏合材料,黏合材料包含锡、铟及钛中的一个,以及锡、铟及钛中的一个占黏合材料的原子数的一半以上。
根据本发明的一实施例,第一电极及第二电极中的一个的厚度在0.2微米至2微米的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造