[发明专利]用于转移微型元件的方法在审
申请号: | 201911014240.6 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111834248A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 陈立宜;简芳基 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 转移 微型 元件 方法 | ||
1.一种转移微型元件的方法,其特征在于,包括:
准备载体基板,所述载体基板上具有所述微型元件,其中黏着层位于所述载体基板和所述微型元件之间并接触所述载体基板和所述微型元件;
借由转移头从所述载体基板上拾取所述微型元件;
在接收基板上形成液体层;
借由所述转移头将所述微型元件放置在所述接收基板上,使得所述微型元件与所述液体层接触并被毛细力夹持;以及
将所述转移头移离所述接收基板,使得所述微型元件与所述转移头分离并黏附固定到所述接收基板。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏着力黏着到所述黏着层,所述微型元件借由第二黏着力黏附到所述转移头,并且所述毛细力大于所述第一黏着力和所述第二黏着力,使得在执行所述放置时所述微型元件与所述转移头分离并且黏附固定到所述接收基板。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一黏着力和所述第二黏着力包括凡得瓦力。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二黏着力大于所述第一黏着力。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件的侧向长度小于或等于50微米。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述拾取之前,光阻层位于所述微型元件上,并且当执行所述拾取时,所述微型元件经由所述光阻层黏附到所述转移头。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏着力黏着到所述黏着层,所述微型元件借由第三黏着力经由所述光阻层黏附到所述转移头,并且所述毛细力大于所述第一黏着力和所述第三黏着力,使得在执行所述放置时所述微型元件与所述转移头分离并且黏附固定到所述接收基板。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含:
在所述微型元件与所述转移头分离之前蒸发所述液体层,使得所述微型元件贴附到所述接收基板的导电垫并且与所述导电垫电性接触,其中将所述微型元件黏附到所述导电垫的力是在所述蒸发之后所产生的黏附固定力。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述微型元件包含在其上的电极,并且所述微型元件经由所述电极与所述导电垫贴附并与所述导电垫电性接触。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏着力黏着到所述黏着层,所述微型元件借由第二黏着力黏附到所述转移头,并且所述黏附固定力大于所述第一黏着力和所述第二黏着力,使得在执行所述放置时所述微型元件与所述转移头分离并且黏附固定到所述接收基板。
11.如权利要求8所述的方法,其特征在于,其中所述导电垫的面积小于或等于1平方毫米。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包含:
在将所述转移头移离所述接收基板之前降低所述接收基板的温度,使得所述液体层被冷冻。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包含:
在所述转移头移离所述接收基板之前加热所述转移头、所述微型元件、所述液体层和所述接收基板的组合,以借由所述微型元件和所述接收基板之间的黏合力在所述微型元件和所述接收基板之间形成黏合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造