[发明专利]蚀刻液喷射速度获取系统及方法有效
申请号: | 201911015581.5 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110823936B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 梅园 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G01N23/2251 | 分类号: | G01N23/2251;G01N1/28;C23F1/08 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 喷射 速度 获取 系统 方法 | ||
1.一种蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,包括:
烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品;
固定单元,用于将所述蚀刻样品固定在转盘上的特定位置,所述特定位置与转盘圆心距离为ri;
控制单元,用于控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,且控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照多个预设速度相对运动;所述蚀刻样品的尺寸小到随转盘转动时不会引起蚀刻液运动,以使所述蚀刻样品的线速度等于所述蚀刻样品与所述蚀刻液的相对速度;
检测单元,用于检测所述蚀刻样品的蚀刻参数,所述刻蚀参数包括锥角和关键尺寸中的至少一种;
处理单元,用于构建环境条件、多个预设速度与蚀刻参数的对应关系;根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度;获取喷嘴与目标膜层的位置关系以及速度变化函数,根据所述位置关系、速度变化函数以及所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度,所述位置关系包括距离和喷射角度,所述速度变化函数包括速度随着距离和喷射角度的变化而变化的函数。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,所述控制单元用于控制所述驱动构件工作,使得所述转盘匀速转动。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,所述固定单元还用于将多个蚀刻样品分别固定在所述转盘上多个不同的特定位置。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,所述处理单元用于获取多个环境条件下,多个预设速度与蚀刻参数的对应关系。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,所述处理单元用于获取同一环境条件下,多个预设速度以及对应的蚀刻参数,根据多个预设速度以及对应的蚀刻参数得到所述对应关系。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液喷射速度获取系统,其特征在于,所述检测单元用于使用扫描电子显微镜检测所述蚀刻样品的蚀刻参数。
7.一种蚀刻液喷射速度获取方法,其特征在于,包括:
提供烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品;
将所述蚀刻样品固定在转盘上的特定位置,所述特定位置与转盘圆心距离为ri;
控制单元控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件;
控制单元控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照多个预设预设速度相对运动,所述蚀刻样品的尺寸小到随转盘转动时不会引起蚀刻液运动,以使所述蚀刻样品的线速度等于所述蚀刻样品与所述蚀刻液的相对速度;
检测单元检测所述蚀刻样品的蚀刻参数,所述刻蚀参数包括锥角和关键尺寸中的至少一种;
处理单元构建环境条件、多个预设速度与蚀刻参数的对应关系;
处理单元根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度;获取喷嘴与目标膜层的位置关系以及速度变化函数,根据所述位置关系、速度变化函数以及所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度,所述位置关系包括距离和喷射角度,所述速度变化函数包括速度随着距离和喷射角度的变化而变化的函数。
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