[发明专利]一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201911016429.9 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110854130A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 柯霖波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种柔性薄膜基板,其特征在于,所述柔性薄膜基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括层叠设置的第一衬底层和第二衬底层,所述第二衬底层设置在所述第一衬底层之上;
其中,所述第二衬底层的弯折区设置有至少一个凹槽。
2.如权利要求1所述的柔性薄膜基板,其特征在于,所述柔性衬底还包括第三衬底层,所述第三衬底层设置于所述第一衬底层远离所述第二衬底层的一侧、或者设置于所述第二衬底层远离所述第一衬底层的一侧。
3.如权利要求1所述的柔性薄膜基板,其特征在于,所述第一衬底层与所述第二衬底层之间设置有阻隔层。
4.如权利要求3所述的柔性薄膜基板,其特征在于,所述第一衬底层的弯折区设置有至少一个凹槽。
5.如权利要求4所述的柔性薄膜基板,其特征在于,所述第一衬底层的弯折区的凹槽的大小、形状对应于所述第二衬底层的弯折区的凹槽。
6.如权利要求1所述的柔性薄膜基板,其特征在于,所述凹槽的截面形状为长方形、梯形、或者半圆形。
7.一种柔性薄膜基板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
S101、提供一支撑层,在所述支撑层上涂覆聚酰胺酸溶液,制得第一衬底层;
S102、在所述第一衬底层之上制备有机材料层,并将所述有机材料层图案化,在所述柔性薄膜基板的弯折区形成凸起;
S103、在所述第一衬底层之上涂覆聚酰胺酸溶液,所述聚酰胺酸溶液覆盖所述有机材料层;
S104、低温烘烤所述聚酰胺酸溶液,制得聚酰胺酸膜层;
S105、将所述柔性薄膜基板置于高纯氮气气氛中升温脱水,所述聚酰胺酸膜层发生高温热酰亚胺化反应,制得第二衬底层,且所述有机材料层分解并逸出气体,形成凹槽;
S106、将所述第一衬底层与所述支撑层剥离,制得所述柔性薄膜基板。
8.如权利要求7所述的柔性薄膜基板的制备方法,其特征在于,在S102中,所述凸起的截面形状为至少一个长方形、至少一个梯形、或者至少一个半圆形。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的柔性薄膜基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的