[发明专利]一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201911016429.9 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110854130A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 柯霖波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种柔性薄膜基板,所述柔性薄膜基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括层叠设置的第一衬底层和第二衬底层,所述第二衬底层设置在所述第一衬底层之上;其中,所述第二衬底层的弯折区设置有至少一个凹槽;本发明通过在柔性衬底的弯折区形成凹槽,降低弯折区域的基板的厚度,使弯折区域的应力中性线趋近于金属走线层,从而提高柔性薄膜基板的弯折性能,避免弯折区域出现内应力增加及膜层断裂等问题,且本发明的柔性薄膜基板结构包括至少层叠设置的两层衬底层,满足高柔性、耐热、高阻水阻氧等要求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,显示面板领域正朝着更轻、更薄、更柔、更透明的方向发展,传统的玻璃基板由于自身硬和脆等特性,难以满足未来柔性显示技术的要求,而高分子薄膜基板具有质轻、柔性、综合性能优异等特点,可以很好地满足未来柔性显示技术对柔性的要求。因此,柔性高分子基板材料是未来柔性显示技术的首选材料。
目前用作柔性基板最具发展前景的高分子材料是聚酰亚胺,聚酰亚胺具有优异的耐热性、耐辐射性能、耐化学性、电绝缘性、机械性能等,但柔性基板上制备TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)后,中性线与金属走线区不统一,使得弯折区域容易出现应力集中、金属走线等弯折断裂的问题。
综上所述,现有技术的柔性基板,由于在柔性基板之上制备薄膜晶体管后,导致弯折区的应力中性线与金属走线层不统一,导致弯折区域容易出现应力集中、金属走线层弯折断裂的问题。故,有必要提供一种新的柔性薄膜基板及其制备、显示面板、显示装置方法来改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种柔性薄膜基板,用于解决现有技术的柔性基板,由于在柔性基板之上制备薄膜晶体管后,导致弯折区的应力中性线与金属走线层不统一,导致弯折区域容易出现应力集中、金属走线层弯折断裂的技术问题。
本发明实施例提供一种柔性薄膜基板,所述柔性薄膜基板包括柔性衬底,所述柔性衬底包括层叠设置的第一衬底层和第二衬底层,所述第二衬底层设置在所述第一衬底层之上;其中,所述第二衬底层的弯折区设置有至少一个凹槽。
进一步的,所述柔性衬底还包括第三衬底层,所述第三衬底层设置于所述第一衬底层远离所述第二衬底层的一侧、或者设置于所述第二衬底层远离所述第一衬底层的一侧。
进一步的,所述第一衬底层与所述第二衬底层之间设置有阻隔层。
进一步的,所述第一衬底层的弯折区设置有至少一个凹槽。
进一步的,所述第一衬底层的弯折区的凹槽的大小、形状对应于所述第二衬底层的弯折区的凹槽。
进一步的,所述凹槽的截面形状为长方形、梯形、或者半圆形。
本发明实施例提供一种柔性薄膜基板的制备方法,所述方法包括步骤:
S101、提供一支撑层,在所述支撑层上涂覆聚酰胺酸溶液,制得第一衬底层;
S102、在所述第一衬底层之上制备有机材料层,并将所述有机材料层图案化,在所述柔性薄膜基板的弯折区形成凸起;
S103、在所述第一衬底层之上涂覆聚酰胺酸溶液,所述聚酰胺酸溶液覆盖所述有机材料层;
S104、低温烘烤所述聚酰胺酸溶液,制得聚酰胺酸膜层;
S105、将所述柔性薄膜基板置于高纯氮气气氛中升温脱水,所述聚酰胺酸膜层发生高温热酰亚胺化反应,制得第二衬底层,且所述有机材料层分解并逸出气体,形成凹槽;
S106、将所述第一衬底层与所述支撑层剥离,制得所述柔性薄膜基板。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的