[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201911016628.X | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN111092061A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 黄智焕;金志勋;洪志硕;金泰勋;李赫宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王凯霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
基底结构,所述基底结构具有下表面和上表面,并且在所述下表面上具有第一焊盘,在所述上表面上具有第二焊盘;
第一半导体芯片,所述第一半导体芯片堆叠在所述基底结构的所述上表面上,并且具有直接结合到所述第二焊盘的第一连接焊盘和连接到所述第一连接焊盘的第一贯穿电极;
第一结合结构,所述第一结合结构设置在所述基底结构与所述第一半导体芯片之间,所述第一结合结构包括位于所述基底结构的所述上表面上的基底绝缘层以及位于所述第一半导体芯片上的第一下绝缘层,所述第一下绝缘层直接结合到所述基底绝缘层;
第二半导体芯片,所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上,并且具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘;以及
第二结合结构,所述第二结合结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间,所述第二结合结构包括位于所述第一半导体芯片上的第一上绝缘层以及位于所述第二半导体芯片上的第二下绝缘层,所述第二下绝缘层直接结合到所述第一上绝缘层,
其中,所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分,所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第一半导体芯片包括连接到所述第一贯穿电极并且嵌入所述第一上绝缘层中的第一结合焊盘,并且
所述第二连接焊盘直接结合到所述第一结合焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第一贯穿电极在所述第一上绝缘层的上表面具有暴露的部分,并且
所述第二连接焊盘直接结合到所述第一贯穿电极的所述暴露的部分。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:在所述基底结构上围绕所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的模制构件。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述模制构件具有树脂部分,所述树脂部分在所述基底结构上设置在所述第一半导体芯片周围,其中,所述虚设绝缘部分设置在所述树脂部分上。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述树脂部分具有与所述第一半导体芯片的上表面基本共面的上表面。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述虚设绝缘部分具有与所述第一半导体芯片的所述上绝缘层基本相同的厚度。
8.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述模制构件设置在所述虚设绝缘部分上。
9.根据权利要求4所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括散热板,所述散热板位于由所述模制构件围绕的所述第二半导体芯片上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911016628.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。