[发明专利]半导体封装件

说明书

一种半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述基底结构上，并且具有结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘；第一结合结构，所述第一结合结构包括基底结构的基底绝缘层以及所述第一半导体芯片的结合到所述基底绝缘层的第一下绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上，具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构包括所述第一半导体芯片的第一上绝缘层以及所述第二半导体芯片的结合到所述第一上绝缘层的第二下绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月24日在韩国知识产权局提交的名为“半导体封装件”的韩国专利申请No.10-2018-0127518的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用的方式全文结合于本申请中。

技术领域

实施例涉及半导体封装件。

背景技术

随着电子工业的发展和用户的需求，电子器件变得越来越小和越来越轻，因此，电子器件中使用的半导体封装件需要具有相对高的性能和相对高的容量，以及小型化和轻量化。

发明内容

实施例涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有下表面和上表面，并且在所述下表面上具有第一连接端子，在所述上表面上具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述基底结构的所述上表面上，并且具有直接结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘和连接到所述第一连接焊盘的第一贯穿电极；第一结合结构，所述第一结合结构设置在所述基底结构与所述第一半导体芯片之间，所述第一结合结构包括位于所述基底结构的所述上表面上的基底绝缘层以及位于所述第一半导体芯片上的第一下绝缘层，所述第一下绝缘层直接结合到所述基底绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间，所述第二结合结构包括位于所述第一半导体芯片上的第一上绝缘层以及位于所述第二半导体芯片上的第二下绝缘层，所述第二下绝缘层直接结合到所述第一上绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。

实施例还涉及一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有下表面和上表面，并且在该下表面上具有第一连接端子，在该上表面上具有基底焊盘和基底绝缘层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述基底结构的上表面上，所述第一半导体芯片具有下表面和上表面，在该下表面上具有第一连接焊盘和第一下绝缘层，在该上表面上具有第一结合焊盘和第一上绝缘层，并且所述第一半导体芯片具有连接到所述第一连接焊盘和所述第一结合焊盘的第一贯穿电极，所述第一连接焊盘直接结合到所述基底焊盘，所述第一下绝缘层直接结合到所述基底绝缘层；至少一个第二半导体芯片，所述至少一个第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片的上表面上，所述至少一个第二半导体芯片具有下表面和上表面，在该下表面上具有第二连接焊盘和第二下绝缘层，在该上表面上具有第二结合焊盘和第二上绝缘层，并且所述至少一个第二半导体芯片具有连接到所述第二连接焊盘和所述第二结合焊盘的第二贯穿电极，所述第二连接焊盘直接结合到所述第一结合焊盘，所述第二下绝缘层直接结合到所述第一上绝缘层；第三半导体芯片，所述第三半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片的上表面上，所述第三半导体芯片具有下表面和上表面，并且在该下表面上具有第三连接焊盘和第三下绝缘层，所述第三连接焊盘直接结合到所述第二结合焊盘，所述第三下绝缘层直接结合到所述第二上绝缘层；第一虚设绝缘部分，所述第一虚设绝缘部分在所述第一半导体芯片周围位于所述基底结构上，并且从所述第一上绝缘层延伸；以及第二虚设绝缘部分，所述第二虚设绝缘部分位于所述第一虚设绝缘部分上，并且从所述第二上绝缘层延伸。