[发明专利]半导体装置的制备方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制备方法，包括：

提供一第一晶圆，该晶圆包括一第一基底、一第一层间介电层以及多个第一导体，该第一层间介电层配置在该第一基底的一第一前表面，所述多个第一导体配置在该第一层间介电层内；

形成一第一互连结构，该互连结构穿经该第一基底并穿入该第一层间介电层，且接触所述多个第一导体的其中之一；

在相对该第一前表面设置的一第一后表面上以及在该第一互连结构上形成一接合介电质；

在该第一晶圆上接合一第二晶圆，其中该第二晶圆包括一第二基底、一第二层间介电层以及多个第二导体，该第二层间介电层配置在该第二基底的一第二前表面上，所述多个第二导体配置在该第二层间介电层内，其中该第二层间介电层接触该接合介电质；以及

形成一第二互连结构，该第二互连结构穿经该第二基底并穿入该第二层间介电层，且接触所述多个第二导体其中之一以及该第一互连结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一互连结构的形成步骤包括：

形成一第一开口，该第一开口穿经该第一基底并穿入该第一层间介电层，以暴露所述多个第一导体其中之一；以及

在该第一开口内沉积一第一金属材料。

3.如权利要求2所述的制备方法，其中该第二互连结构的形成步骤还包括：

形成一第一切槽，该第一切槽穿经该第二基底、该第二层间介电层以及该接合介电质，以暴露该第一金属材料；

形成一第二切槽，该第二切槽穿经该第二基底并穿入该第二层间介电层，以暴露所述多个第二导体其中之一；

形成一凹口，该凹口连通该第一切槽与该第二切槽；以及

在该第一切槽、该第二切槽以及该凹口内沉积一第二金属材料。

4.如权利要求3所述的制备方法，还包括：

在沉积该第一金属材料之前，沿着该第一后表面与该第一开口沉积一第一隔离层；

移除该第一隔离层的一部分，以暴露所述多个第一导体其中之一；

在该第二金属材料沉积之前，沿着该第二基底的一第二后表面、该凹口、该第一切槽以及该第二切槽沉积一第二隔离层；以及

移除该第二隔离层的多个部分，以暴露所述多个第二导体其中之一以及该第一金属材料。

5.如权利要求4所述的制备方法，还包括：

在该第一金属材料沉积之前，在该第一隔离层上与所述多个第一导体其中之一上沉积一第一阻障层；以及

在该第二金属材料沉积之前，在该第二金属材料上与所述多个第二金属接触点其中之一上沉积一第二阻障层。

6.如权利要求5所述的制备方法，还包括：

执行一第一平坦化工艺，以移除位在该第一隔离层上的该第一金属材料与该第一阻障层的所述多个部分；以及

执行一第二平坦化工艺，以移除位在该第二隔离层上的该第二金属材料与该第二阻障层的所述多个部分。

7.如权利要求2所述的制备方法，其中该第一互连结构的形成步骤还包括：

在该第一金属材料沉积之前，形成一第二开口，该第二开口连通在该第一基底内的该第一开口；以及

在该第二开口内沉积该第一金属材料。

8.如权利要求7所述的制备方法，其中该第二开口具有一大致前后一致的直径，且该第一开口具有一直径，其是朝向远离该第一后表面的方向递减，其中该第一开口的该直径小于该第二开口的该直径。

9.如权利要求8所述的制备方法，其中该第一开口具有一中线，其是偏离该第二开口的一中线。

10.如权利要求1所述的制备方法，还包括：

在第二后表面上沉积一钝化层；以及

形成一外部接触点，该外部接触点接触该第二互连结构。