[发明专利]集成电路(IC)芯片装置在审
申请号: | 201911016899.5 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN111106077A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | C·德耶拉希-切克;B·奥尔;M·拉杜纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 ic 芯片 装置 | ||
1.一种集成电路(IC)封装,包括:
第一半导体芯片,包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);以及
第二半导体芯片,安装在所述IC封装的壳体内,
其中所述第二半导体芯片包括:
第二MOSFET;以及
控制电路,配置有用于所述第一MOSFET的第一驱动器和用于所述第二MOSFET的第二驱动器,
其中所述第一半导体芯片与所述IC封装的基部相对地安装到所述第二半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第二半导体芯片包括导电层,并且所述第一半导体芯片被安装到所述导电层。
3.根据权利要求2所述的IC封装,其中所述导电层对应于由所述第一MOSFET和所述第二MOSFET形成的半桥电路的输出。
4.根据权利要求2所述的IC封装,其中通过将所述第一半导体芯片焊接、烧结或胶合到所述导电层中的至少一项,将所述第一半导体芯片安装到所述导电层。
5.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第一MOSFET对应于半桥电路的低侧MOSFET,并且所述第二MOSFET对应于所述半桥电路的高侧MOSFET。
6.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第一MOSFET是n型MOSFET(NMOS),并且所述第二MOSFET是NMOS。
7.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第一MOSFET是n型MOSFET(NMOS),并且所述第二MOSFET是p型MOSFET(PMOS)。
8.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第一半导体芯片仅包括所述第一MOSFET以及到所述第一MOSFET的连接。
9.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述第二半导体芯片包括第三MOSFET,并且所述控制电路包括用于所述第三MOSFET的第三驱动器。
10.根据权利要求1所述的IC封装,其中所述IC封装的所述基部对应于所述IC封装的引线框侧,
其中所述IC封装的引线框连接到所述IC封装的一个或多个端子。
11.一种系统,包括:
第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);
第二MOSFET,
其中所述第一MOSFET的源极连接到所述第二MOSFET的漏极;以及
控制电路,用以控制到所述第一MOSFET或所述第二MOSFET的信号,
其中所述第一MOSFET在第一半导体芯片上,并且所述第二MOSFET和所述控制电路在与所述第一半导体芯片分离的第二半导体芯片上,
其中所述第一半导体芯片在IC封装的壳体内被安装在所述第二半导体芯片上。
12.根据权利要求11所述的系统,其中所述第一半导体芯片包括导电层,并且所述第二半导体芯片被安装到所述导电层。
13.根据权利要求12所述的系统,其中所述第一MOSFET的所述漏极和所述第二MOSFET的所述源极连接到所述导电层。
14.根据权利要求12所述的系统,其中所述导电层对应于由所述第一MOSFET和所述第二MOSFET形成的半桥电路的输出。
15.根据权利要求12所述的系统,其中通过将所述第一半导体芯片焊接、烧结或胶合到所述导电层中的至少一项,将所述第一半导体芯片安装到所述导电层。
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