[发明专利]集成电路（IC）芯片装置

说明书

本文公开的示例涉及集成电路(IC)芯片装置。示例集成电路(IC)封装可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，第二半导体芯片被安装在该IC封装的壳体内。第二半导体芯片可以包括第二MOSFET和配置有用于第一MOSFET的第一驱动器和用于第二MOSFET的第二驱动器的控制电路。第一半导体芯片可以与IC封装的基部相对地安装到第二半导体芯片。

背景技术

集成电路(IC)可以包括电子电路的一个或多个部件。一个或多个部件可以被包括在半导体芯片(例如，硅芯片)内。在一些情况下，可以将多个半导体芯片组合以在单个封装壳体内形成电子电路。

发明内容

根据一些实施方式，一种集成电路(IC)封装可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，第二半导体芯片被安装在该IC封装的壳体内。第二半导体芯片可以包括第二MOSFET和控制电路，控制电路配置有用于第一MOSFET的第一驱动器和用于第二MOSFET的第二驱动器。第一半导体芯片可以与IC封装的基部相对地被安装到第二半导体芯片。

根据一些实施方式，一种系统可以包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；第二MOSFET，其中第一MOSFET的源极连接到第二MOSFET的漏极；以及控制电路，其用以控制到第一MOSFET或第二MOSFET的信号。第一MOSFET可以在第一半导体芯片上，并且第二MOSFET和控制电路可以在与第一半导体芯片分离的第二半导体芯片上。第一半导体芯片可以在IC封装的壳体内被安装到第二半导体芯片上。

根据一些实施方式，一种方法可以包括将第一半导体芯片安装到第二半导体芯片的导电层，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片被配置成装配在集成电路(IC)封装的壳体内，其中第一半导体芯片包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及将第二半导体芯片固定在IC封装的基部上，其中IC封装的基部对应于IC封装的引线框侧，其中导电层与IC封装的基部相对；并且其中第二半导体芯片包括：第二MOSFET和控制电路，控制电路包括用于第一MOSFET的第一驱动器和用于第二MOSFET的第二驱动器。

附图说明

图1A和图1B是与本文描述的示例集成电路封装相关联的图。

图2和图3是图1A的集成电路封装的示例实施方式的框图。

图4A-图4C是如本文所述的示例实施方式的图。

图5是与提供如本文所述的集成电路芯片装置相关联的示例方法的流程图。

具体实施方式

示例实施方式的以下详细描述参考附图。不同附图中的相同附图标记可以标识相同或相似的元件。

在一些情况下，多个半导体芯片要被包括在同一个集成电路(IC)封装内。例如，具有半桥(其包括一对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))的IC封装可能要求在IC封装中包括多个半导体芯片(例如，这些MOSFET中的每个MOSFET在单独的半导体芯片上和/或半桥的控制电路在单独芯片上)。半桥可以用于打开电机驱动器。在一些实施方式中，在反向块应用中，用于MOSFET的驱动器(例如，栅极驱动器)可以被包括在与IC封装内的MOSFET分离的单独的半导体芯片上。