[发明专利]寡核苷酸的合成方法、合成装置在审
申请号: | 201911017315.6 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN112442101A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 商逸璇;万江雪;徐君;赵远锦 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | C07H21/04 | 分类号: | C07H21/04;C07H21/00;C07H1/00 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 张振;王君 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寡核苷酸 合成 方法 装置 | ||
1.一种寡核苷酸的合成方法,其特征在于,包括:
在第一微阵列底板的亲水区加入第一化合物,其中,所述第一微阵列底板的亲水区中包括羟基,所述第一微阵列底板的亲水区中的羟基和所述第一化合物反应,在所述第一微阵列底板的亲水区中生成第二化合物,所述第一化合物和所述第二化合物为包括羧基的化合物;
通过所述第二化合物和胸苷发生反应,在所述第一微阵列底板的亲水区合成寡核苷酸,得到第二微阵列底板,其中,所述胸苷带有羟基,所述第二微阵列底板的亲水区中包括所述寡核苷酸。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一微阵列底板的亲水区加入溴异丁酰溴BIBB溶液,并通过所述第一微阵列底板的亲水区中的羟基与所述第一化合物发生原子转移自由基聚合ATRP反应,生成所述第二化合物。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一化合物为聚丙烯酸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述第二微阵列底板的亲水区进行氨水解处理,得到寡核苷酸和带有氨基的第三微阵列底板。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述带有氨基的第三微阵列底板上加入碳酸钠-甲醇溶液,得到所述第一微阵列底板。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对底板进行处理,得到所述第一微阵列底板。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一微阵列底板还包括疏水区,
所述对底板进行处理,得到所述第一微阵列底板,包括:
对所述底板表面进行疏水处理,使得所述底板表面具有疏水区;
对所述疏水区的表面进行亲水处理,使得所述疏水区的表面具有亲水区;
将模具覆盖在所述底板的亲水区,所述模具为带有凸起的微阵列,所述模具的凸起与所述底板的亲水区接触;
将所述模具从所述底板的亲水区剥离,使得所述底板上与所述模具的凸起接触的部分暴露出所述疏水区,形成所述第一微阵列底板。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一微阵列底板还包括疏水区,
所述对底板进行处理,得到所述第一微阵列底板,包括:
将模具与所述底板接触,所述模具为带有凸起的微阵列,所述模具的凸起为亲水区,所述模具的凸起与所述底板接触;
对所述底板中未与所述模具的凸起接触的部分进行疏水处理;
将所述模具从所述底板剥离,形成所述第一微阵列底板,其中,所述第一微阵列底板上与所述模具的凸起接触的部分为所述第一微阵列底板的亲水区,所述第一微阵列底板上未与所述模具的凸起接触的部分为所述第一微阵列底板的疏水区。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述模具为聚二甲基硅氧烷PDMS模具。
10.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:
通过光刻法在器皿上制备微阵列区域;
将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在所述微阵列区域上进行固化;
将固化的所述PDMS从所述器皿上剥离,得到所述PDMS模具。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述模具进行等离子处理,使得所述模具的凸起为亲水区。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法,其特征在于,所述疏水处理包括:
将所述底板和疏水剂接触,并进行蒸镀处理,使得所述底板表面具有疏水区。
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