[发明专利]Ga在审

申请号：	201911018311.X	申请日：	2015-08-06
公开（公告）号：	CN110565173A	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	佐佐木公平	申请（专利权）人：	株式会社田村制作所
主分类号：	C30B35/00	分类号：	C30B35/00;C30B29/16;C30B23/02
代理公司：	11323 北京市隆安律师事务所	代理人：	徐谦;刘宁军
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	单晶基板金刚石磨粒研磨处理旋转轴正时合格率加工
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【权利要求书】：

1.一种Ga₂O₃系单晶基板，其特征在于，

在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～150°的面作为主面，在使用金刚石磨粒的研磨处理中发生并在其后的CMP处理中没有消失的裂纹密度小于0.05条/cm。

2.一种Ga₂O₃系单晶基板，其特征在于，

在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～70°、100～150°的面作为主面，在使用金刚石磨粒的研磨处理中发生并在其后的CMP处理中没有消失的裂纹密度小于0.05条/cm，无潜伤。

3.一种Ga₂O₃系单晶基板，其特征在于，

将以[001]轴为旋转轴从(100)面旋转10～90°的面作为主面，在使用金刚石磨粒的研磨处理中发生并在其后的CMP处理中没有消失的裂纹密度小于0.05条/cm。

4.一种Ga₂O₃系单晶基板，其特征在于，

将以[001]轴为旋转轴从(100)面旋转10～90°的面作为主面，在使用金刚石磨粒的研磨处理中发生并在其后的CMP处理中没有消失的裂纹密度小于0.05条/cm，无潜伤。

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