[发明专利]Ga

说明书

提供能实现高加工合格率的Ga₂O₃系单晶基板。能得到如下Ga₂O₃系单晶基板：在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～150°的面作为主面，在使用金刚石磨粒的研磨处理中发生并在其后的CMP处理中没有消失的裂纹密度小于0.05条/cm。

本申请是分案申请，原案申请的申请号为201580042566.3，国际申请号为PCT/JP2015/072334，申请日为2015年08月06日，发明名称为“Ga2O3系单晶基板”。

技术领域

本发明涉及Ga₂O₃系单晶基板。

背景技术

已提出以从(100)面旋转50°以上且90°以下的面为主面的β-Ga₂O₃系基板(例如，参照专利文献1。)。

另外，在专利文献1中，作为从该(100)面旋转50°以上且90°以下的面，举出了(010)、(001)、(-201)、(101)和(310)面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/035464号

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供能实现高加工合格率的Ga₂O₃系单晶基板。

用于解决问题的方案

本发明的发明人等关于Ga₂O₃系单晶基板进行了锐意研究，发现若将某特定的面方位作为晶体生长用的主面，则能够达到上述目的，而完成了本发明。

即，上述目的能通过下述的[1]～[4]所记载的各发明来达到。

[1]一种Ga₂O₃系单晶基板，在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～150°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm。

[2]一种Ga₂O₃系单晶基板，在将以[010]轴为旋转轴从(100)面经由(101)面到达(001)面的旋转方向定义为正时，将从(100)面旋转10～70°、100～150°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm，无潜伤。

[3]一种Ga₂O₃系单晶基板，将以[001]轴为旋转轴从(100)面旋转10～90°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm。

[4]一种Ga₂O₃系单晶基板，将以[001]轴为旋转轴从(100)面旋转10～90°的面作为主面，裂纹密度小于0.05条/cm，无潜伤。

发明效果

根据本发明，能得到高加工合格率的Ga₂O₃系单晶基板。

附图说明

图1是示出Ga₂O₃单晶基板的主面以[010]轴为旋转轴从(100)面旋转的角度与主面上的裂纹密度的关系的图(实施例1)。