[发明专利]一种多合一MicroLED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种多合一MicroLED芯片，其特征在于，包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，

所述第一绝缘层包裹在发光结构的正面和侧壁，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；

所述第一电极贯穿第一绝缘层并与发光结构形成导电连接，所述第二电极设置在金属连接层上形成导电连接，且与第一电极位于发光结构的同侧，所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接；

所述第二绝缘层设置在第一电极的侧壁，将第一电极和金属连接层隔绝。

2.如权利要求1所述的多合一MicroLED芯片，其特征在于，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一电极设置在第二半导体层上，并与第二半导体层形成导电连接，所述连接电极设置在第一半导体层和金属连接层上，并将第一半导体层与金属连接层形成导电连接；

所述金属连接层设有空缺部，所述空缺部将相邻两个发光结构上的金属连接层隔开。

3.如权利要求1所述的多合一MicroLED芯片，其特征在于，所述金属连接层由铜或铜钨制成。

4.如权利要求3所述的多合一MicroLED芯片，其特征在于，所述绝缘层和金属连接层之间设有金属种子层，所述金属种子层由金和/或铜制成；

所述金属种子层的厚度为200～1000埃。

5.如权利要求2所述的多合一MicroLED芯片，其特征在于，所述第一半导体层上分别设置不同颜色的量子点，以实现全彩显示。

6.如权利要求5所述的多合一MicroLED芯片，其特征在于，所述量子点由Cdse制成。

7.一种多合一MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成至少三个发光结构；

在发光结构上形成第一绝缘层，将发光结构包裹；

在第一绝缘层上形成金属连接层，所述金属连接层填充在发光结构之间，以将至少三个发光结构形成连接；

对所述金属连接层进行刻蚀，刻蚀至发光结构的正面形成第一孔洞，并在金属连接层的表面和第一孔洞内形成第二绝缘层；

对第二绝缘层进行刻蚀，刻蚀至发光结构的正面形成第二孔洞，刻蚀至金属连接层的表面形成第三孔洞，并在第二孔洞形成第一电极，在第三孔洞内形成第二电极；

去除衬底，在裸露出来的发光结构和金属连接层上形成连接电极，所述连接电极将发光结构与金属连接层形成导电连接。

8.如权利要求7所述的多合一MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层和金属连接层之间还设有金属种子层，所述第一孔洞刻蚀至第二半导体层的表面，所述第二孔洞沿着第一孔洞刻蚀至第二半导体层的表面，所述第一电极设置在第二半导体层上，并与第二半导体层形成导电连接；

所述第二电极设置在金属连接层上，并与金属连接层形成导电连接；

去除衬底后，将第一半导体层裸露出来，所述连接电极设置在第一半导体层上，以将第一半导体层与金属连接层形成导电连接。

9.如权利要求7所述的多合一MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属连接层的制备方法如下：

一、将至少三个发光结构置于含铜镀液中；

二、将电源负极连接到发光结构上，并对含铜镀液通电，形成预设厚度的金属连接层。

10.如权利要求7所述的多合一MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，采用蒸镀或溅射工艺在第一绝缘层上形成金属种子层，所述金属种子层的厚度为200～1000埃；

在裸露出来的第一半导体层上形成不同颜色的量子点，所述量子点由Cdse制成。