[发明专利]一种多合一MicroLED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种多合一MicroLED芯片及其制作方法，所述MicroLED芯片包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。本发明在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种多合一MicroLED芯片及其制作方法。

背景技术

MicroLED就是“微”LED，作为一种新显示技术，与其它显示技术，比如LCD，OLED，PDP，其核心的不同之处在于其采用无机LED作为发光像素。

Micro LED是一種未来具有非常潜力的产品。不过由于尺寸小，一般小于50μm，需要分选机移转的次数就非常多，称作为巨量移转。

巨量转移其实跟一般的分选流程一样，主要就是分选机取晶的动作，摆臂移到晶粒上方，吸嘴下压到晶粒上，吸真空，顶针次破蓝膜，让芯片离开蓝膜，摆臂上抬，移转到分选Bin上方，然后吸嘴下压放到分选bin蓝膜上，放真空，提高摆臂。尺寸越小的芯片移转越多次。

此外，制作好的MicroLED需要转移到做好驱动电路的基底上。无论是TV还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，而像素的尺寸又是那么小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也是很低的，有“亮点”或“暗点”的显示屏不被市场接受，所以将这些小像素完美地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路连接是非常困难复杂的技术。实际上，巨量转移是目前MicroLED商业化上面的一大瓶颈技术。其转移的效率，成功率都决定着商业化的成功与否。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种多合一MicroLED芯片及其制作方法，在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种多合一MicroLED芯片，包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，

所述第一绝缘层包裹在发光结构的正面和侧壁，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；

所述第一电极贯穿第一绝缘层并与发光结构形成导电连接，所述第二电极设置在金属连接层上形成导电连接，且与第一电极位于发光结构的同侧，所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接；

所述第二绝缘层设置在第一电极的侧壁，将第一电极和金属连接层隔绝。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一电极设置在第二半导体层上，并与第二半导体层形成导电连接，所述连接电极设置在第一半导体层和金属连接层上，并将第一半导体层与金属连接层形成导电连接；

所述金属连接层设有空缺部，所述空缺部将相邻两个发光结构上的金属连接层隔开。

作为上述方案的改进，所述金属连接层由铜或铜钨制成。

作为上述方案的改进，所述绝缘层和金属连接层之间设有金属种子层，所述金属种子层由金和/或铜制成；

所述金属种子层的厚度为200～1000埃。

作为上述方案的改进，所述第一半导体层上分别设置不同颜色的量子点，以实现全彩显示。

作为上述方案的改进，所述量子点由Cdse制成。

相应地，本发明还提供了一种多合一MicroLED芯片的制作方法，包括：