[发明专利]极紫外线反射结构、极紫外线聚光器及极紫外线光罩

说明书

本揭露的一实施例提供一种极紫外线反射结构。极紫外线反射结构包括一基板以及多对硅层体与钼层体。多对硅层体与钼层体设置于该基板之上，其中该硅层体包括多个孔洞。

技术领域

本揭露是关于一极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)反射结构。

背景技术

用在微影的辐射的波长已经从紫外线降低至深紫外线(deep ultraviolet，DUV)，且最近降低至极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)。更进一步缩小元件尺寸需要微影的解析度的更进一步的提升，其可使用极紫外线微影(extreme ultraviolet lithography，EUVL)而达成。极紫外线微影运用具有波长约1－100纳米的辐射，例如13.5纳米。由于投影透镜型曝光设备不能用于极紫外线微影，故全反射光学系统即应用于极紫外线微影中。因此，具有高反射率的极紫外线反射结构(反射镜，例如镜子)是极紫外线微影中的关键技术之一。

发明内容

本揭露的一实施例提供一种极紫外线反射结构。极紫外线反射结构包括一基板以及多对硅层体与钼层体。多对硅层体与钼层体设置于该基板之上，其中该硅层体包括多个孔洞。

本揭露的另一实施例提供一种极紫外线聚光器。极紫外线聚光器包括具有弯曲上表面的基板和多对设置在弯曲上表面上的硅层体和钼层体。硅层体包括多个孔洞。

本揭露的另一实施例提供一种极紫外线光罩。极紫外线光罩包括基板、设置在基板上的多层结构以及设置在多层结构上的吸收层。多层结构包括多对硅层体和钼层体，硅层体包括多个孔洞。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1为根据本揭露部分实施例中具有激光产生电浆(laser produced plasma，LPP)极紫外线辐射源的极紫外线微影系统；

图2显示根据本揭露部分实施例的一极紫外线微影工具的示意图；

图3A为根据本揭露的一实施例的一极紫外线反射结构的透视图，图3B为孔洞在硅层体水平切割的平面图，图3C为剖面图，图3D为图3A的极紫外线反射结构的单位结构的放大透视图；

图4A为孔洞的侧视图，图4B为孔洞的平面图，图4C为根据本揭露其他实施例的孔洞的平面图，图4D为根据本揭露其他实施例的孔洞的平面图；

图5A为根据本揭露的另一实施例的一极紫外线反射结构的透视图，图5B为纳米孔洞的平面图，图5C为剖视图，图5D为图5A中所示的极紫外线反射结构的单位结构的放大透视图；

图6A为根据本揭露的另一实施例的一极紫外线反射结构的透视图，图6B为纳米孔洞的平面图，图6C是剖视图，图6D为图6A中所示的极紫外线反射结构的单位结构的放大透视图，图6E、图6F显示根据本揭露不同实施例的硅柱体的排列方式；

图7A、图7B、图7C显示根据本揭露部分实施例的多个极紫外线反射结构的剖面图；

图8为一极紫外线反射镜的剖面图；

图9显示根据本揭露部分实施例多个极紫外线反射结构的反射率的模拟结果；

图10显示根据本揭露的一实施例的一极紫外线光罩；

图11显示根据本揭露的一实施例的一极紫外线反射结构的一连续制造操作中不同步骤之一的示意图；

图12显示根据本揭露的一实施例的一极紫外线反射结构的一连续制造操作中不同步骤之一的示意图；