[发明专利]一种高效碳化硅晶片制备方法在审
| 申请号： | 201911022348.X | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110725007A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈炳寺;戴磊 | 申请（专利权）人： | 江苏晶杰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶片 制备 研磨 高温加热 过滤除杂 抛光 备用 比例配料 操作结束 粗碳化硅 二氧化硅 生产效率 原料混合 混合料 催化剂 晶片 | ||
1.一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；
（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；
（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；
（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；
（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。
2.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。
3.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。
4.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）通过搅拌设备进行充分均匀搅拌，搅拌时间在30min。
5.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中加热温度为500摄氏度到700摄氏度，恒温加热6h到10h。
6.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。
7.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。
8.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。
9.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。
10.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。
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