[发明专利]一种高效碳化硅晶片制备方法

说明书

本发明公开了一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀，高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片，过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用，研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用，抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，适合推广使用。

技术领域

本发明涉及一种高效碳化硅晶片制备方法，具体为一种高效碳化硅晶片制备方法，属于高效碳化硅晶片制备应用技术领域。

背景技术

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

现有碳化硅晶片在制备过程中存在很多问题，如现有碳化硅晶片在制造过程中，碳化硅晶片制备效率较低，同时制备碳化硅晶片的质量较差，同时碳化硅晶片的制备产量较低，影响使用。因此，针对上述问题提出一种高效碳化硅晶片制备方法。

发明内容

本发明的发明目的就在于为了解决上述问题而提供一种高效碳化硅晶片制备方法。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的，一种高效碳化硅晶片制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

（1）原料混合，将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料，然后加入合适比例的催化剂进行混合，充分搅拌均匀；

（2）高温加热，将步骤（1）中混合均匀的混合料进行高温加热，操作结束后制备粗碳化硅晶片；

（3）过滤除杂，将步骤（2）中原料进行过滤除杂，得到碳化硅晶片，备用；

（4）研磨，将步骤（3）中的碳化硅晶片进行研磨，备用；

（5）抛光提高质量，将步骤（4）中碳化硅晶片进行抛光，得到高质量碳化硅晶片。

优选的，所述步骤（1）碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质，然后定量称取后备用。

优选的，所述步骤（1）通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量，节省称量时间。

优选的，优选的，所述步骤（2）中加热温度为500摄氏度到700摄氏度，恒温加热6h到10h。

优选的，所述步骤（1）中催化剂采用硼酸、氧化铁、氯化钴、硝酸、镍等。

优选的，所述步骤（3）中通过过滤除杂设备将过多的碳和二氧化硅物质进行过滤，集中处理。

优选的，所述步骤（4）中通过研磨设备对过滤的粗碳化硅晶片表面进行研磨去毛刺。

优选的，所述步骤（5）中抛光采用抛光设备对研磨后的碳化硅晶片进行直接抛光，抛光废屑集中收集处理，抛光过程中采用钻石抛光液进行辅助抛光。

优选的，所述步骤（5）中抛光后的碳化硅晶片存放干燥密封箱内。

本发明的有益效果是：该种高效碳化硅晶片制备方法，制备方法较为简单，成本较低，提高碳化硅晶片的生产量，提高碳化硅晶片的生产效率，便于将制备的碳化硅晶片进行批量研磨，提高碳化硅晶片的制备效率，便于工作者加工后的碳化硅集中放置，具有良好的市场前景，适合推广使用。