[发明专利]滤光结构在审
申请号: | 201911022471.1 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN111916467A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 陈裕仁 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/28 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李琛;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤光 结构 | ||
1.一种滤光结构,包括:
一基板,具有复数光电转换元件;
一介电堆叠层,设置于该基板上;
一平坦层,设置于该介电堆叠层上;
其中该介电堆叠层具有一楔形部与一平坦部,该平坦部相邻于该楔形部,该楔形部具有一连续或非连续变化的厚度,且该平坦部具有一实质上不变的厚度。
2.如权利要求1所述的滤光结构,其中该介电堆叠层包括交互堆叠的复数第一介电层与复数第二介电层,每该第一介电层的折射率与每该第二介电层的折射率不同,在该楔形部中的每该第一介电层具有一连续或非连续变化的厚度,且在该楔形部中的每该第二介电层具有一连续或非连续变化的厚度。
3.如权利要求2所述的滤光结构,其中每该第一介电层的折射率介于2至2.5,且每该第一介电层的材料包括二氧化锆、五氧化二钽、五氧化二铌、硫化锌、二氧化钛、氧化铟锡、氧化锡或氧化锌。
4.如权利要求2所述的滤光结构,其中每该第二介电层的折射率介于1.2至1.8,且每该第二介电层的材料包括氟化钙、氟化镁、三氟化镧、二氧化硅、氧化铝或二氧化铪。
5.如权利要求2所述的滤光结构,其中该楔形部从靠近该平坦部的一侧至远离该平坦部的一侧逐渐变薄,且该楔形部围绕该平坦部。
6.如权利要求2所述的滤光结构,其中该楔形部从靠近该平坦部的一侧至远离该平坦部的一侧逐渐变厚,且该楔形部围绕该平坦部。
7.如权利要求1所述的滤光结构,还包括:
复数遮光层,设置于该介电堆叠层上,其中该复数遮光层包括:
一第一遮光层,设置于该平坦层上;及
至少一第二遮光层,设置于该平坦层内并设置于该介电堆叠层上。
8.如权利要求7所述的滤光结构,其中该第一遮光层包括复数第一孔洞,而该至少一第二遮光层包括复数第二孔洞,该复数第一孔洞对应于该复数第二孔洞,该复数第一孔洞的每一个对应于该复数光电转换元件的其中之一,且该复数第二孔洞的每一个对应于该复数光电转换元件的其中之一。
9.如权利要求8所述的滤光结构,其中该复数第一孔洞的每一个的宽度在平行于该基板的一顶表面的一方向上大于1μm且小于150μm,而该复数第二孔洞的每一个的宽度在平行于该基板的该顶表面的该方向上大于1μm且小于150μm,该复数第一孔洞的每一个的宽度与该复数第二孔洞的每一个的宽度不同,且该复数第一孔洞与该复数第二孔洞限制光的入射角介于0至10°。
10.如权利要求8所述的滤光结构,其中该复数第一孔洞形成一对称图案。
11.如权利要求10所述的滤光结构,其中该复数第一孔洞以同心圆排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的