[发明专利]滤光结构在审
申请号: | 201911022471.1 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN111916467A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 陈裕仁 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/28 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李琛;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤光 结构 | ||
本公开提出一种滤光结构。滤光结构包括一基板,基板具有复数光电转换元件。滤光结构也包括一介电堆叠层,介电堆叠层设置于基板上。滤光结构还包括一平坦层,平坦层设置于介电堆叠层上。介电堆叠层具有一楔形部与一平坦部,平坦部相邻于楔形部,楔形部具有一连续或非连续变化的厚度,且平坦部具有一实质上不变的厚度。
技术领域
本公开实施例涉及一种滤光结构,且特别有关于一种包括介电堆叠层的滤光结构。
背景技术
滤光器已广泛用于各种装置,例如光谱仪、环境光感测器、颜色感测器、图像感测器、光谱检查装置等。然而,传统的滤光结构并未满足各方面的需求。举例来说,从传统的滤光结构获得的光谱可能由于倾斜的(oblique)入射光而具有意外的变形。再者,很难将传统的滤光结构的尺寸减小至例如几微米以满足需求。
发明内容
根据本公开的一些实施例,提出一种滤光结构。滤光结构包括一基板,基板具有复数光电转换元件。滤光结构也包括一介电堆叠层,介电堆叠层设置于基板上。滤光结构还包括一平坦层,平坦层设置于介电堆叠层上。介电堆叠层具有一楔形部与一平坦部,平坦部相邻于楔形部,楔形部具有一连续或非连续变化的厚度,且平坦部具有一实质上不变的厚度。
附图说明
以下将配合附图详述本公开实施例。应注意的是,各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上,元件的尺寸可能经放大或缩小,以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。
图1显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。
图2显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分放大图。
图3显示根据本公开另一实施例的滤光结构的部分剖面图。
图4显示根据本公开实施例的滤光结构的部分放大图。
图5显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。
图6显示根据本公开另一实施例的滤光结构的部分剖面图。
图7显示根据本公开一实施例的第一遮光层的第一孔洞的部分俯视图。
附图标记说明:
100、102、104、106~滤光结构
10~基板
10T~顶表面
12、12C、12P、12F~光电转换元件
20、22、24、26~介电堆叠层
20-1、22-1、24-1、26-1~楔形部
20-2、22-2、24-2、26-2~楔形部
20-3、22-3、24-3、26-3~平坦部
21~第一介电层
23~第二介电层
30~平坦层
40~遮光层
41~第一遮光层
41a~第一孔洞
43~第二遮光层
43a~第二孔洞
D1~方向
L~光
W1~宽度
W2~宽度
α~入射角
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的