[发明专利]检测晶圆完整性的方法、RTP机台有效
申请号: | 201911022638.4 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110767563B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 王家辉;何春雷;顾海龙 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 完整性 方法 rtp 机台 | ||
1.一种检测晶圆完整性的方法,其特征在于,所述方法包括:
通过晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆;所述晶圆取片刀的根部设置有检测传感器,所述晶圆取片刀的根部对应晶圆上的12点方向;
通过红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损,通过所述检测传感器检测所述晶圆的第二区域是否发生破损;所述红外对射传感器设置于所述RTP机台的腔室隔离门外侧,所述红外对射传感器垂直于晶圆取片刀,所述红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称,每个所述红外对射传感器包括发射器和接收器;
其中,所述晶圆上的第一区域是指晶圆上对应3点和9点方向的区域,所述晶圆上的第二区域是指晶圆上对应6点和12点方向的区域,所述第一区域与所述第二区域之和大于等于所述晶圆的表面区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述红外对射传感器检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损,包括:
当所述晶圆经过所述红外对射传感器的发射器和接收器之间时,检测所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线是否被阻挡;
若检测到所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线被阻挡,则确定所述晶圆的第一区域未发生破损;
若检测到所述红外对射传感器的发射器和接收器之间的光线未被阻挡,则确定所述晶圆的第一区域发生破损。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当检测到晶圆上的第一区域和/或第二区域发生破损时,所述RTP机台报警。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当检测到晶圆上的第一区域和第二区域未发生破损时,通过所述晶圆取片刀将所述晶圆送入晶圆传送盒。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述晶圆取片刀从快速热处理RTP机台的腔室中取出晶圆之前,还包括:
在所述RTP机台的腔室隔离门外侧设置所述红外对射传感器。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述RTP机台的腔室隔离门外侧设置有至少两个红外对射传感器。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述红外对射传感器的数量为两个,所述晶圆的切槽与圆心的连线和每个所述红外对射传感器之间的距离为150mm。
8.一种RTP机台,其特征在于,所述RTP机台的腔室隔离门的外侧设置有红外对射传感器,所述RTP机台的晶圆取片刀上设置有检测传感器;
其中,所述红外对射传感器垂直于所述晶圆取片刀,所述红外对射传感器关于晶圆的切槽与圆心的连线对称,每个所述红外对射传感器包括发射器和接收器;
所述红外对射传感器用于检测所述晶圆上的第一区域是否发生破损;所述晶圆上的第一区域是指晶圆上对应3点和9点方向的区域;
所述检测传感器用于检测所述晶圆的第二区域是否发生破损;所述晶圆上的第二区域是指晶圆上对应6点和12点方向的区域,所述第一区域与所述第二区域之和大于等于所述晶圆的表面区域。
9.根据权利要求8所述的RTP机台,其特征在于,所述RTP机台的腔室隔离门外侧设置有至少两个红外对射传感器。
10.根据权利要求8所述的RTP机台,其特征在于,所述红外对射传感器的数量为两个,所述晶圆的切槽与圆心的连线和每个所述红外对射传感器之间的距离为150mm。
11.根据权利要求8所述的RTP机台,其特征在于,所述晶圆取片刀的根部设置有所述检测传感器。
12.根据权利要求11所述的RTP机台,其特征在于,所述晶圆取片刀的根部对应晶圆上的12点方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造