[发明专利]受限源极/漏极外延区域及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路器件的方法，包括：

形成延伸到半导体衬底中的隔离区域；

使所述隔离区域凹陷，其中，所述隔离区域之间的半导体区域形成半导体鳍；

在所述隔离区域和所述半导体鳍上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层上方形成第二电介质层；

对所述第二电介质层和所述第一电介质层进行平坦化；

使所述第一电介质层凹陷，其中，所述第二电介质层的一部分突出高于所述第一电介质层的剩余部分以形成突出的电介质鳍，并且所述半导体鳍的一部分突出高于所述第一电介质层的所述剩余部分以形成突出的半导体鳍；

使所述突出的半导体鳍的一部分凹陷以形成凹槽；以及

从所述凹槽外延生长外延半导体区域，其中，所述外延半导体区域横向扩展以与所述突出的电介质鳍的侧壁接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一电介质层凹陷包括：蚀刻所述第一电介质层，其中，在所述第一电介质层被蚀刻时，所述第二电介质层暴露于用于蚀刻所述第一电介质层的相同蚀刻化学品。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成栅极堆叠，其中，所述突出的电介质鳍和所述突出的半导体鳍之间具有间隙，并且所述栅极堆叠的栅极电极和栅极电介质延伸到所述间隙中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在使所述第一电介质层凹陷之后，所述突出的电介质鳍和所述突出的半导体鳍的顶表面彼此共面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质层与所述隔离区域的下面部分彼此接触，它们之间具有可区分的界面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隔离区域包括可流动化学气相沉积(FCVD)，并且形成所述第一电介质层包括原子层沉积(ALD)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质层是使用共形沉积方法形成的。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述突出的半导体鳍的侧壁上形成鳍间隔件，并且其中，所述外延半导体区域被横向生长以与所述鳍间隔件重叠。

9.一种用于形成集成电路器件的方法，包括：

在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间形成电介质区域，其中，所述电介质区域包括：

第一电介质层，所述第一电介质层包括底部部分以及位于所述底部部分的相对端上方并且连接到所述底部部分的相对端的侧壁部分；以及

第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层的所述侧壁部分之间；

使所述第一电介质层的所述侧壁部分凹陷；

使所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍凹陷以分别形成第一凹槽和第二凹槽；以及

从所述第一凹槽和所述第二凹槽外延生长第一外延半导体区域和第二外延半导体区域。

10.一种集成电路器件，包括：

半导体衬底；

隔离区域，延伸到所述半导体衬底中；

半导体区域，位于所述隔离区域的相对部分之间；

第一电介质鳍和第二电介质鳍，位于所述半导体区域的相对侧上；以及

外延区域，位于所述半导体区域上方并且与所述半导体区域接触，其中，所述外延区域横向延伸超出所述半导体区域的边缘以与所述第一电介质鳍和所述第二电介质鳍接触。