[发明专利]一种氮化钽薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911023958.1 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783049A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京朝歌汉荣科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/075 | 分类号： | H01C17/075;H01C17/12;H01C17/14;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 11541 北京卓唐知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐海力 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化钽薄膜电阻 氮化钽薄膜 金属样品 制备 轰击 热处理 氮离子束 高稳定性 老化电阻 温度系数 氩离子束 变化率 金属钽 小电阻 附着 基底 沉积 申请 | ||
1.一种氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
通过氩离子束轰击金属钽靶，获得金属样品；
通过氮离子束轰击所述金属样品，沉积获得氮化钽薄膜层；
通过热处理所述氮化钽薄膜层，获得氮化钽薄膜电阻。
2.根据权利要求1所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮离子束中的氮气流量与所述氩离子束中的氩气流量的流量比为5％-15％。
3.根据权利要求2所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，通过卡夫曼聚焦栅离子源发射所述氩离子束。
4.根据权利要求3所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，通过卡夫曼平行栅离子源发射所述氮离子束。
5.根据权利要求4所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述卡夫曼聚焦栅离子源的阳极电压为45V～60V，阴极电流为5A～8A。
6.根据权利要求5所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述卡夫曼聚焦栅离子源的屏栅电压为800V～1200V，束流为80mA～120mA，加速电压100V～300V。
7.根据权利要求6所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述卡夫曼聚焦栅离子源的本底真空度小于1.0×10-4Pa，工作气压为1.0×10-2Pa～2.5×10-2Pa。
8.根据权利要求7所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述卡夫曼平行栅离子源的阳极电压为45V～60V，阴极电流为5A～8A，屏栅电压为100V～300V，束流为20mA～50mA，加速电压100V～300V。
9.根据权利要求8所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，所述卡夫曼平行栅离子源的本底真空度小于1.0×10-4Pa，工作气压为1.0×10-2Pa～2.5×10-2Pa。
10.根据权利要求9所述的氮化钽薄膜的制备方法，其特征在于，热处理所述氮化钽薄膜层包括：在氮氧混气气氛下，升温至350℃～550℃，保温60min～90min。
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