[发明专利]一种氮化钽薄膜的制备方法

说明书

一种氮化钽薄膜的制备方法，包括：通过氩离子束轰击金属钽靶，获得金属样品；通过氮离子束轰击所述金属样品，沉积获得氮化钽薄膜层；通过热处理所述氮化钽薄膜层，获得氮化钽薄膜电阻。本申请所提供的氮化钽薄膜电阻的制备方法所获得的氮化钽薄膜电阻，与基底附着良好、具有较小电阻温度系数TCR，且具有长时间老化电阻变化率(ACR)约0.01％的高稳定性。

技术领域

本申请涉及电子元件制造领域，具体而言，涉及一种氮化钽薄膜的制备方法。

背景技术

传统的氮化钽电阻与基底附着不好、电阻温度系数TCR较大，长时间使用容易老化。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种氮化钽薄膜的制备方法，包括：

通过氩离子束轰击金属钽靶，获得金属样品；

通过氮离子束轰击所述金属样品，沉积获得氮化钽薄膜层；

通过热处理所述氮化钽薄膜层，获得氮化钽薄膜电阻。

可选地，所述氮离子束中的氮气流量与所述氩离子束中的氩气流量的流量比为5％-15％。

可选地，通过卡夫曼聚焦栅离子源发射所述氩离子束。

可选地，通过卡夫曼平行栅离子源发射所述氮离子束。

可选地，所述卡夫曼聚焦栅离子源的阳极电压为45V～60V，阴极电流为5A～8A。

可选地，所述卡夫曼聚焦栅离子源的屏栅电压为800V～1200V，束流为80mA～120mA，加速电压100V～300V。

可选地，所述卡夫曼聚焦栅离子源的本底真空度小于1.0×10-4Pa，工作气压为1.0×10-2Pa～2.5×10-2Pa。

可选地，所述卡夫曼平行栅离子源的阳极电压为45V～60V，阴极电流为5A～8A，屏栅电压为100V～300V，束流为20mA～50mA，加速电压100V～300V。

可选地，所述卡夫曼平行栅离子源的本底真空度小于1.0×10-4Pa，工作气压为1.0×10-2Pa～2.5×10-2Pa。

可选地，热处理所述氮化钽薄膜层包括：在氮氧混气气氛下，升温至350℃～550℃，保温60min～90min。

本申请所提供的氮化钽薄膜电阻的制备方法所获得的氮化钽薄膜电阻，与基底附着良好、具有较小电阻温度系数TCR，且具有长时间老化电阻变化率(ACR)约0.01％的高稳定性。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请一个实施例的氮化钽薄膜的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。