[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201911025118.9 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110649033B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 吴智鹏;韩凯;张璐;谢柳群;杨川 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11563 | 分类号: | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11568 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种3D存储器件,包括:
衬底;
栅叠层结构,位于所述衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层,所述多个栅极导体从单元区延伸至与所述单元区邻接的外围区,并且所述多个栅极导体在所述外围区中呈台阶状;
多个沟道柱和多个伪沟道柱,所述多个沟道柱在所述单元区中贯穿所述栅叠层结构,所述多个伪沟道柱在所述单元区和所述外围区中贯穿所述栅叠层结构,所述多个沟道柱到达所述衬底中的公共源区;
多个栅线缝隙,从所述单元区延伸至所述外围区,并且将所述多个栅极导体分别隔开成多条栅线;以及
多个伪栅线缝隙,在所述单元区中延伸至所述单元区和所述外围区之间的边界,
其中,所述多个沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第一柱阵列,所述多个伪沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第二柱阵列,所述第二柱阵列的至少一部分位于所述单元区中,
所述多个伪栅线缝隙从所述第一柱阵列的边缘延伸至所述边界,并且分别位于所述第二柱阵列的相邻行的伪沟道柱之间。
2.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个栅极导体的至少一部分形成台阶表面,并且所述多个栅极导体中最顶部层面的栅极导体的台阶边缘对应于所述边界。
3.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述第二柱阵列的行间距大于所述第一柱阵列的行间距,以容纳所述多个伪栅线缝隙。
4.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个伪栅线缝隙位于所述第二柱阵列中外侧相邻行的伪沟道柱之间。
5.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个伪栅线缝隙均匀分布于所述第二柱阵列中相邻行的伪沟道柱之间。
6.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个伪栅线缝隙与所述多个栅线缝隙垂直延伸相同的深度。
7.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,所述多个伪栅线缝隙的宽度小于所述多个栅线缝隙的宽度。
8.根据权利要求1所述的3D存储器件,其中,在所述多个栅线缝隙和所述多个伪栅线缝隙中填充有绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的3D存储器件,还包括:
多条位线,分别与所述多个沟道柱中的至少一个沟道柱的第一端电连接;以及
多条字线,分别经由互连通道与所述多个栅极导体中相应一个层面的栅极导体的至少一条栅线电连接。
10.根据权利要求1所述的3D存储器件,还包括经由所述多个栅线缝隙形成于所述衬底中的掺杂区。
11.一种3D存储器件的制造方法,所述3D存储器件包括彼此邻接的单元区和外围区,所述制造方法包括:
在衬底上形成牺牲叠层结构,所述牺牲叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层与多个层间绝缘层;
形成贯穿所述牺牲叠层结构的多个沟道柱和多个伪沟道柱,所述多个沟道柱位于所述单元区中,所述多个伪沟道柱位于所述单元区和所述外围区中,并且所述多个沟道柱到达所述衬底中的公共源区;
形成多个栅线缝隙和多个伪栅线缝隙,所述多个栅线缝隙从所述单元区延伸至所述外围区,并且将所述多个牺牲层分隔成多个彼此隔开的部分,所述多个伪栅线缝隙在所述单元区中延伸至所述单元区和所述外围区之间的边界;
采用所述多个栅线缝隙作为蚀刻通道和沉积通道,将所述多个牺牲层替换成多个栅极导体,以形成栅叠层结构,所述多个栅线缝隙将所述多个栅极导体分别隔开成多条栅线,
其中,所述多个沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第一柱阵列,所述多个伪沟道柱在所述多条栅线中分别排列成第二柱阵列,所述第二柱阵列的至少一部分位于所述单元区中,
所述多个伪栅线缝隙从所述第一柱阵列的边缘延伸至所述边界,并且分别位于所述第二柱阵列的相邻行的伪沟道柱之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911025118.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:3D存储器件及其制造方法
- 下一篇:三维存储器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的