[发明专利]一种增强型场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种增强型场效应晶体管的形成方法，在两层多晶硅工艺中实现多晶硅沟道的SOIMOSFET。此多晶硅沟道SOIMOSFET与体硅CMOS工艺兼容，进而提供了一种具有SOIMOSFET特性的器件。

2.如权利要求1所述的方法，两层多晶硅工艺或多层多晶硅工艺，特别地指电可擦除可编程只读存储器EEPROM工艺，实现多晶硅沟道的SOIMOSFET。

3.如权利要求1所述的方法，两层多晶硅工艺中，在不增加和改变工艺流程的情况下，利用下层的多晶硅作为沟道，上层多晶硅作为栅极，中间介质层作为栅绝缘层，通过版图实现需要的掺杂，最终形成多晶硅沟道SOI MOSFET。

4.如权利要求1所述的方法，采用已有掺杂工艺对多晶硅沟道和源区、漏区掺杂，而介质层不失一般性地采用PIP电容的介质层，从而能够实现MOSFET的基本特性。

5.如权利要求1所述的方法，其基本的制造流程为：1、衬底，在硅衬底上形成具有表层氧化层绝缘层的衬底；2、淀积第一多晶硅层，并刻蚀出图形，可选择的步骤是对其进行掺杂，最终形成沟道区域；3、在第一多晶硅图形上淀积介质层，并刻蚀出图形，保证覆盖第一多晶硅图形；4、淀积第二多晶硅图形，并刻蚀出栅极图形；5、进行源漏区域的掺杂；6、淀积绝缘介质，并进行金属化。

6.如权利要求1所述的方法，形成双栅的多晶硅沟道SOIMOSFET，在衬底形成N型掺杂区域，作为器件的第二栅极。其它的流程与实施例1相同。利用下层的多晶硅作为沟道，而上层多晶硅作为栅极，中间介质层作为栅绝缘层，通过版图实现需要的掺杂，最终形成双栅的多晶硅沟道SOI MOSFET。衬底N型掺杂区可以使用已有的工艺形成。

7.如权利要求6所述的方法，形成的双栅多晶硅沟道SOI MOSFET器件可以实现两个栅极同时控制一个沟道，可以用于译码或“与、或”等逻辑运算。