[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板有效
申请号: | 201911028011.X | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110854133B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;
在阵列基板正面沉积一保护层于所述阵列基板上;
沉积一牺牲层于所述保护层上;
涂布一平坦化层于所述牺牲层上;
沉积一钝化层于所述平坦化层上,所述牺牲层、所述平坦化层以及所述钝化层具有硬性耐磨特性;
翻转所述阵列基板;
沉积并图案化一金属线于所述阵列基板远离所述保护层的一侧;
沉积一介质层于所述阵列基板远离所述保护层的一侧且包覆所述金属线;
形成一透明电极于所述介质层远离所述阵列基板的一侧,所述透明电极连接所述金属线;
涂布一光刻胶于所述介质层远离所述阵列基板的一侧且覆盖所述透明电极;
再次翻转所述阵列基板;
去除所述钝化层、所述平坦化层、所述牺牲层、所述保护层以及所述光刻胶。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述牺牲层的材料为氢化非晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述平坦化层的材料包括耐高温的聚酰亚胺、硅胶或压克力。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述介质层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述的沉积一介质层于所述阵列基板远离所述保护层的一侧且包覆所述金属线的步骤之后:还包括:
形成一通孔于所述介质层中,所述通孔贯穿所述介质层直至所述金属线表面,所述透明电极通过所述通孔连接所述金属线。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述的去除所述钝化层、所述平坦化层、所述保护层以及所述光刻胶的步骤中,
通过激光剥离方式去除所述钝化层以及所述平坦化层;
通过干法蚀刻的方式去除所述牺牲层以及所述保护层;
通过浸泡剥离液的方式去除所述光刻胶。
9.一种采用如权利要求1~8任一项所述的显示面板的制备方法制备的显示面板。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管,设于所述基板的一侧;
像素电极,设于所述薄膜晶体管上,所述像素电极连接所述薄膜晶体管漏极;
金属线,设于所述阵列基板的背面;
介质层,设于所述金属线上且贴附所述阵列基板的背面;
透明电极,设于所述介质层上且连接所述金属线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的