[发明专利]基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件及LDMOS

权利要求书

1.一种基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，包括P型集电极、P型发射极以及位于所述P型集电极和所述P型发射极之间的第一STI，所述第一STI的标准长度表示为L；

其特征在于，所述第一STI的长度为所述PNP型高压ESD器件还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于所述第一STI和所述P型发射极相邻的两端的上部区域。

2.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述标准长度的取值范围为1～2微米。

3.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件为PNP型三极管。

4.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件的工作电压的范围为40～65V。

5.如权利要求1所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述PNP型高压ESD器件还包括：N型基极、P衬底、高压N阱、P型漂移区、N型漂移区、第二STI、第三STI、第四STI、第一N阱和第二N阱；

所述高压N阱位于所述P衬底中；

所述P型漂移区和所述N型漂移区设置于所述高压N阱中且相邻；

所述P型发射极远离所述第一STI的一侧依次为所述第三STI、所述N型基极以及所述第四STI；

所述第二STI位于所述P型集电极远离所述第一STI的一侧；

所述P型漂移区横跨所述第一STI和所述第二STI之间的区域；

所述N型漂移区横跨所述第一STI和所述第四STI之间的区域；

所述第一N阱和所述第二N阱设置于所述N型漂移区中；

所述第一N阱横跨所述多晶硅栅和所述第三STI之间的区域；

所述第二N阱横跨所述第三STI和所述第四STI之间的区域。

6.如权利要求1至5任一项所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件，其特征在于，所述BCD工艺的节点范围为65～180nm。

7.一种LDMOS，其特征在于，所述LDMOS包括如权利要求1至6任一项所述的基于BCD工艺的PNP型高压ESD器件。

8.如权利要求7所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS为高压LDMOS。